Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "InAs" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Application of cross-correlation-based transimpedance amplifier in InAs and InAsSb IR detectors noise measurements
Autorzy:
Achtenberg, Krzysztof
Mikołajczyk, Janusz
Bielecki, Zbigniew
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2063907.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
cross-correlation
IR detector
noise
transimpedance amplifier
InAs
InAsSb
Opis:
The paper presents noise measurements in low-resistance photodetectors using a crosscorrelation-based transimpedance amplifier. Such measurements usually apply a transimpedance amplifier design to provide a current fluctuation amplification. In the case of low-resistance sources, the measurement system causes additional relevant system noise which can be higher than noise generated in a tested detector. It mainly comes from the equivalent input voltage noise of the transimpedance amplifier. In this work, the unique circuit and a three-step procedure were used to reduce the floor noise, covering the measured infrared detector noise, mainly when operating with no-bias or low-bias voltage. The modified circuit and procedure to measure the noise of unbiased and biased detectors characterized by resistances much lower than 100 Ω were presented. Under low biases, the reference low-resistance resistors tested the measurement system operation and techniques. After the system verification, noise characteristics in low-resistance InAs and InAsSb infrared detectors were also measured.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2022, 30, 2; art. no. e141126
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single crystals
Autorzy:
Orłowski, W.
Hruban, A.
Mirowska, A.
Strzelecka, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192040.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
InAs
LEC
B2O3
własności elektryczne
electrical properties
Opis:
Opracowano warunki otrzymywania metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC) bardzo czystych niedomieszkowanych monokryształów InAs typu n o ruchliwości elektronów μ > 22000 cm ² / Vs i koncentracji elektronów n < 3 x10^16 cm -³ w 300 K. Zbadano wpływ zawartości cząsteczek wody w topniku (B2O3) stosowanym do hermetyzacji stopionego wsadu na parametry elektryczne kryształów oraz na zawartość w nich domieszek resztkowych. Zbadano również wpływ czasu wygrzewania stopionego wsadu przed procesem krystalizacji na własności otrzymanych kryształów.
The aim of this work was to find out technological conditions that allow obtaining high purity undoped InAs single crystals with carrier concentration below 3xl0^16 cm -³ and carrier mobility over 22000 cm ² / Vs. Synthesis by injection method and Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) crystal growth were applied. The influence of water content in B2O3 encapsulant (applied during injection synthesis and LEC growth) on electrical properties of InAs crystals and especially on dopants concentration was investigated. The influence of charge annealing duration before crystallization process on InAs crystals properties was also investigated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 15-21
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mid-wave InAs/GaSb superlattice barrier infrared detectors with nBnN and pBnN design
Autorzy:
Gomółka, E.
Markowska, O.
Kopytko, M.
Kowalewski, A.
Martyniuk, P.
Rogalski, A.
Rutkowski, J.
Motyka, M.
Krishna, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201992.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
InAs/GaSb type-II superlattices
infrared detectors
barrier detectors
nBn detector
p-i-n detector
InAs
GaSb
detektory podczerwieni
detektor bariery
detektor nBn
detektory p-i-n
Opis:
We present an investigation of optical and electrical properties of mid-wavelength infrared (MWIR) detectors based on InAs/GaSb strained layer superlattices (SLs) with nBnN and pBnN design. The temperature-dependent behavior of the bandgap was investigated on the basis of absorption measurements. A 50% cut-off wavelength of around 4.5 μm at 80 K and increase of up to 5.6 μm at 290 K was found. Values of Varshni parameters, zero temperature bandgap E0 and empirical coefficients α and β were extracted. Arrhenius plots of dark currents of nBnN and pBnN detectors were compared with the p-i-n design. Dark current density reduction in nBnN and pBnN detectors is observed in comparison to the p-i-n device. This shows a suppression of Shockley-Read-Hall (SRH) processes by means of introducing barrier architecture.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 3; 317-323
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies