Temat: IGBT transistor - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Detection and Recording of Acoustic Emission in Discrete IGBT Transistors
Autorzy:: Gordon, R.
Dreas, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2064954.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: STE GROUP
Tematy:: IGBT Modules
IGBT Transistor
Acoustic Emission
Opis:: The article presents the results of experimental research, which is to show a correlation between the change of operating status of single IGBT transistor and its acoustic emission. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally and determine possibility of the damage to the element based on registered acoustic signal.
Źródło:: Multidisciplinary Aspects of Production Engineering; 2018, 1, 1; 27--31
2545-2827
Pojawia się w:: Multidisciplinary Aspects of Production Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Eksperymentalne badania zjawiska emisji akustycznej w monolitycznych tranzystorach
Experimental investigations of monolithic IGBT transistor acoustic emission phenomena
Autorzy:: Kozak, Maciej
Gordon, Radosław
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/376769.pdf
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: tranzystor IGBT
moduł IGBT
emisja akustyczna
IGBT Modules
IGBT Transistor
Acoustic Emission
Opis:: Przedmiotem wielu badań prowadzonych w energoelektronice są metody diagnostyczne określające stan sprawność pracujących elementów półprzewodnikowych. Jak każdy materiał stały półprzewodniki wytwarzają fale sprężyste w przypadku zmiany stanu z przewodzenia na blokowanie i odwrotnie. Na podstawie obserwacji można zaobserwować korelację pomiędzy przełączeniami pojedynczego tranzystora IGBT a emisją sygnału akustycznego. Zapisu emisji akustycznej dokonano za pomocą szerokopasmowego czujnika EA. Sygnał został przetworzony za pomocą karty wejściowej AD ze wzmacniaczem i zarejestrowany na komputerze PC. Zebrane dane zostały wyeksportowane do pliku, co umożliwiło dalsze przetwarzanie otrzymanych danych. Celem badania było określenie tła sygnału emisji akustycznej pochodzącej od sprawnego, przełączającego tranzystora IGBT i przygotowanie wzoru odpowiedzi w dziedzinie częstotliwości. Wyniki analizy zostaną wykorzystane jako punkt odniesienia dla dalszych badań wczesnych stadiów uszkodzenia pracujących elementów półprzewodnikowych
The diagnostic methods leading to determine the condition of working semiconductor components (power transistors etc.) are on the focus of many recent researches. As any solid material the semiconductors are generating elastic waves in the case of changing conductivity state. Based on the results of experimental research, a correlation can be observed between the transition between the on and off states of a single IGBT transistor and the emitted acoustic signal. Acquisition of acoustic emission signals was obtained by using a wide band acoustic emission sensor. The received signal initially was prepared by AD input card with amplifier and were recorded by computer software. Acquired data were exported the to a file, which enabled further processing of the measured signals. The aim of the study was to determine the acoustic emission background signal coming from switching IGBT transistor and preparation of frequency response pattern. The results of analysis will be used as a reference point for a further investigation of earlystage faults of semiconductors elements.
Źródło:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2019, 99; 19-28
1897-0737
Pojawia się w:: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "IGBT transistor" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język