Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SiC MOSFET" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System
Autorzy:
Zygmanowski, M.
Michalak, J.
Jeleń, M.
Jarek, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/973060.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
IGBT
Silicon Carbide (SiC)
MOSFET
Inverter
Microgrid
Opis:
Three converter leg variants are analyzed for low power converter used for power electronic system for residential buildings. The two-level Si-IGBT and SiC-MOSFET converters are compared with Si-IGBT three-level T-type converter. Power losses generated in each of these converters over a predicted period of 20 years of operation are contrasted with the cost of converter options. The detailed selection procedure for output inductor is presented in this paper. This procedure shows the influence of the inductor parameters like number of turns, air gap length on its losses, cost and size. Theoretical approach is verified with simulations and experimental results.
Źródło:
Measurement Automation Monitoring; 2017, 63, 8; 282-287
2450-2855
Pojawia się w:
Measurement Automation Monitoring
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET
Autorzy:
Fatyga, K.
Kwaśny, Ł.
Stefańczak, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408426.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
IGBT
SiC
transistor
MOSFET
DC/DC converter
tranzystor
przekształtnik DC/DC
Opis:
This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 68-71
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies