- Tytuł:
-
Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms - Autorzy:
-
Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Żelazko, J. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192170.pdf
- Data publikacji:
- 2012
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
HRPITS
radiacyjne centrum defektowe
Si
procedura Laplace'a
radiation defect centres
Laplace procedure - Opis:
-
Przedstawiono procedurę wyznaczania koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Stwierdzono, że intensywność prążka Laplace'a jest proporcjonalna do amplitudy składowej wykładniczej przebiegu relaksacyjnego związanej z termiczną emisją nośników ładunku z centrów defektowych o określonych właściwościach. Nową procedurę wykorzystano do określenia koncentracji wybranych radiacyjnych centrów defektowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej napromieniowanej dawką protonów równą 1,7 x 1016 cm-2, a także w objętościowym monokrysztale krzemu, otrzymanym metodą Czochralskiego w polu magnetycznym (MCz Si), napromieniowanym różnymi dawkami wysokoenergetycznych neutronów. Stwierdzono, że koncentracja radiacyjnych pułapek TX1 (69 meV), identyfikowanych z kompleksami CiCs w krzemowej warstwie epitaksjalnej wynosi 2,5 x 1015 cm-3. Koncentracja pułapek TA6 (410 meV) identyfikowanych z lukami podwójnymi V2 (-/O) w MCz Si napromieniowanym dawkami neutronów 3 x 1015 cm-2 i 1 x 1016 cm-2 wynosi odpowiednio 4,0 x 1014 cm-2 i 5,5 x 1014 cm-3.
A new procedure for determining the defect center concentration from the Laplace spectral fringes, obtained as a result of analysis of the photocurrent waveforms, has been developed. It was found that the intensity of a Laplace spectral fringe is proportional to the amplitude of the exponential component of the relaxation waveform related to the thermal emission of charge carriers from a defect center with the given properties. The procedure is exemplified by the determination of the concentrations of selected radiation defect centers in an epitaxial layer of Si irradiated with a proton fluence of 1,7 x 1016 cm-2, as well as in samples of MCz Si irradiated with high energy neutrons. It was found that in the epitaxial layer, the concentration of the TX1 (69 meV) trap attributed to the CiCs complex is 2.5 x 1015 cm-3. In the latter material, the concentrations of the TA6 (410 meV) trap, identified with divacancies V2 (-/O), were found to be 4 x 1014 and 5.5 x 1014 cm-3 for the fluences of 3 x 1015 and 1 x 1016 cm-2, respectively. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 19-33
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł