Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "High Power converters" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Design, Analysis and Comparison of Si- and GaN-Based DC-DC Wide-Input-Voltage-Range Buck-Boost Converters
    Autorzy:
    Koszel, Mikołaj
    Grzejszczak, Piotr
    Nowatkiewicz, Bartosz
    Wolski, Kornel
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1844528.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    buck-boost
    synchronous dc-dc converters
    GaN
    high efficiency
    ultracapacitor
    power losses
    SEPIC
    Ćuk
    Opis:
    The purpose of the article is a comparison between DC/DC topologies with a wide input voltage range. The research also explains how the implementation of GaN E-HEMT transistors influences the overall efficiency of the converter. The article presents a process of selection of the most efficient topology for stabilization of the battery storage voltage (9 V – 36 V) at the level of 24 V, which enables the usage of ultracapacitor energy storage in a wide range of applications, e.g., in automated electric vehicles. In order to choose the most suitable topology, simulation and laboratory research were conducted. The two most promising topologies were selected for verification in the experimental model. Each of the converters was constructed in two versions: with Si and with GaN E-HEMT transistors. The paper presents experimental research results that consist of precise power loss measurements and thermal analysis. The performance with an increased switching frequency of converters was also examined.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 3; 337-343
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
    Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/269112.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    azotek galu
    GaN
    E-HEMT
    przekształtnik obniżający
    napięcie
    straty mocy
    gallium nitride
    enhancement mode
    high electron mobility transistor E-HEMT
    DC/DC converters
    power losses
    Opis:
    Tematem artykułu są badania wysokonapięciowego tranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnika obniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótką charakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych, a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażu powierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problem chłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanie porównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, że zaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niż zalecany przez producenta. W głównej części opracowania zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika. Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającego o częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzono możliwość budowania wysokosprawnych przekształtników z tranzystorami GaN.
    In this paper a brief description of wide-bandgap semiconductors is given. Particularly, advantages of a 650 V GaN EHEMT transistor GS66508P-E03 are shown. This power switch is experimentally evaluated in a synchronous buck with two transistors in a half bridge configuration. The experimental results show that GaN transistors have very low total losses even when operating at high frequencies. The efficiency over 92% is achieved at the frequency of 200 kHz with 5 A output current and output power at a rate of 310 W. Additionally, in this work two different cooling systems for surface mounted transistor are compared. In a prototype for thermal evaluation one transistor has the cooling system with thermal vias through the PCB and alternatively the second one has the cooling system with the copper stud. The proposed cooling system with the copper stud is proven to have the twice smaller thermal resistance than the system with thermal vias. Another advantage is that in the same conditions the transistor is cooler and has lower on-resistance, what decreases the power losses.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 47; 31-34
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies