Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Cichowski, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Przegląd systemów ładowania elektrycznych osobowych pojazdów i koncepcja dwukierunkowej ładowarki pokładowej
    Review of battery chargers for passenger electric vehicles and the concept of bidirectional on-board charger
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/266958.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    ładowarka
    ładowanie baterii
    pojazd elektryczny typu plug-in
    pojazd hybrydowy typu plug-in
    przekształtniki AC/DC
    przekształtniki DC/DC
    aktywne odsprzęganie mocy
    battery charger
    electric plug-in vehicle
    hybrid plug-in vehicle
    AC/DC converters
    DC/DC converters
    active power decoupling
    Opis:
    Aktualnie trwa intensywny rozwój pojazdów elektrycznych (EV) i hybrydowych typu plug-in (PHEV) z pokładowymi bateriami akumulatorów. Badania w tej dziedzinie skupiają się na maksymalizowaniu sprawności oraz minimalizowaniu masy i objętości systemów ładowania baterii. W artykule przedstawiono podział systemów ładowania osobowych pojazdów typu EV/PHEV. Opisano systemy ładowania przewodowego z podziałem na ładowarki pokładowe i zewnętrzne, systemy bezprzewodowe oraz układy wymiany baterii. Zaprezentowano wady i zalety takich systemów. W artykule autorzy przedstawili własną koncepcję izolowanej, dwukierunkowej ładowarki pokładowej zasilanej z sieci jednofazowej. Do realizacji wybrano dwustopniową topologię składającą się z przekształtników AC/DC (pełen mostek tranzystorowy) oraz DC/DC (wysokoczęstotliwościowy przekształtnik w topologii podwójnego mostka aktywnego). Dodatkowo, ładowarka jest wyposażona w aktywny obwód odsprzęgający w celu minimalizacji objętości kondensatorów w obwodzie pośredniczącym napięcia stałego.
    The increasing demand for more environmental friendly vehicular technologies contributes to the development of electric and hybrid vehicles (EVs and HVs). The current research topics cover maximizing the efficiency of the electric system, minimizing its weight and volume and extending the range of the vehicle. In this paper the overview of battery chargers for passenger EVs/PHEVs is presented. Battery chargers can be classified as on-board and off-board with unidirectional or bidirectional power flow. Another categorization divides the chargers into conductive and contactless systems. Various battery chargers are presented and compared. Advantages and disadvantages of different charging systems are given. In the second part authors present the concept of an isolated bidirectional On-Board Charger (OBC) using GaN transistors for electric vehicles application. The OBC should enable charging the vehicle from single-phase grid and using the vehicle as the source of energy in vehicle-to-grid application. The selected topology for this concept is a two-stage charger comprised of a full bridge (AC/DC converter), followed by a high frequency dual active bridge (DC/DC converter). Additionally, to minimize the capacitance in the DC-link active power decoupling method in a boost topology is employed.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 11-16
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
    Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/269112.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    azotek galu
    GaN
    E-HEMT
    przekształtnik obniżający
    napięcie
    straty mocy
    gallium nitride
    enhancement mode
    high electron mobility transistor E-HEMT
    DC/DC converters
    power losses
    Opis:
    Tematem artykułu są badania wysokonapięciowego tranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnika obniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótką charakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych, a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażu powierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problem chłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanie porównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, że zaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niż zalecany przez producenta. W głównej części opracowania zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika. Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającego o częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzono możliwość budowania wysokosprawnych przekształtników z tranzystorami GaN.
    In this paper a brief description of wide-bandgap semiconductors is given. Particularly, advantages of a 650 V GaN EHEMT transistor GS66508P-E03 are shown. This power switch is experimentally evaluated in a synchronous buck with two transistors in a half bridge configuration. The experimental results show that GaN transistors have very low total losses even when operating at high frequencies. The efficiency over 92% is achieved at the frequency of 200 kHz with 5 A output current and output power at a rate of 310 W. Additionally, in this work two different cooling systems for surface mounted transistor are compared. In a prototype for thermal evaluation one transistor has the cooling system with thermal vias through the PCB and alternatively the second one has the cooling system with the copper stud. The proposed cooling system with the copper stud is proven to have the twice smaller thermal resistance than the system with thermal vias. Another advantage is that in the same conditions the transistor is cooler and has lower on-resistance, what decreases the power losses.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 47; 31-34
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies