- Tytuł:
-
Analizy symulacyjne układów stymulacyjnych pod kątem wykorzystania w wielokanałowych układach scalonych
Simulation analysis of stimulation circuits for implantable multichannel integrated circuits - Autorzy:
-
Kmon, P.
Drozd, A. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/155529.pdf
- Data publikacji:
- 2013
- Wydawca:
- Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
- Tematy:
-
stymulacja elektryczna
układy wielokanałowe
układy ASIC
CMOS
electrical stimulation
multichannel circuits
ASIC - Opis:
-
W artykule dokonano przeglądu elektronicznych układów stymulacyjnych stosowanych do elektrycznej stymulacji komórek nerwowych. Pod uwagę brane były krytyczne parametry tych bloków w kontekście ich planowanej implementacji w wielokanałowym układzie scalonym. Są to m.in. rozrzuty prądów stymulacyjnych, pobór mocy tych układów, stopień komplikacji układowej czy też zajętość powierzchni krzemu. Przedstawione są podstawowe parametry i wymagania dotyczące układów stymulacyjnych oraz wyniki symulacyjne trzech powszechnie stosowanych architektur zaimplementowanych w technologii CMOS 180nm.
The paper presents a review of stimulation circuits dedicated to multichannel implantable electrical stimulation of large population of neuronal cells. We take into account the main requirements of such circuits, i.e. spread of generated stimulation impulses from channel to channel, power and area consumption and architecture complexity. The paper contains analysis of the main problems that may be encountered while designing current sources able to both generating currents in a broad range and satisfying requirements referring to its output resistance, low output voltage, and uniformity of generated currents. Three most popular architectures of current stimulators are taken into consideration: solution with two independently controlled positive and negative currents and two solutions where one of the currents is generated as the copy of the second one. Simulations were carried out with use of the Cadence environment and the CMOS 180nm process was taken into account. The simulation results followed by the conclusions are presented at the end of the paper. - Źródło:
-
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 3, 3; 243-246
0032-4140 - Pojawia się w:
- Pomiary Automatyka Kontrola
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł