Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ilic, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Monte Carlo Analysis of the Influence of Different Packaging on MOSFET Energy Response to X-rays and Gamma Radiation
Autorzy:
Stanković, S.
Ilić, R.
Živanović, M.
Janković, K.
Lončar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1418114.pdf
Data publikacji:
2012-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.85.Fv
85.30.Tv
87.55.kh
Opis:
Radiation sensing MOSFETs have found numerous applications as detectors or device components in radiation fields used in nuclear industry, medical applications and space research. Monte Carlo simulations of MOSFET energy response to X-ray and gamma radiation for different packaging were performed. The photon transport Monte Carlo software FOTELP-2K10 has been adapted to obtain the energy deposited in MOSFET structure with microscopic dimensions. In this work the ratio between values of total energy deposited in the sensitive volume (thick $SiO_2$ layer) for cases of MOSFET structure with and without package lid is presented. For this purpose is defined the shielding energy dependence factor (SDEF), and gave its value for kovar and Ti-24Al-11Nb and Ti-13Nb-13Zr alloys as lid materials.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 4; 655-658
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of New Structure for Silicon Carbide X-Ray Detector by Method Monte Carlo
Autorzy:
Stankovic, S.
Ilic, R.
Jankovic, K.
Vasic-Milovanovic, A.
Loncar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503337.pdf
Data publikacji:
2011-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.85.Fv
87.55.kh
85.30.Kk
61.72.uf
77.84.Bw
Opis:
This work presents a characterization of radiation absorption properties of silicon carbide (SiC) as semiconductor for the realization of detectors for X-rays. SiC detectors can potentially reach superior performance with respect to all the other semiconductors presently employed in hazardous environments in nuclear and space science and technology. Physics and numerical modeling of photons transport through SiC detector is incorporated in non-destructive Monte Carlo method for determining the energy deposited and dose distribution. The Monte Carlo code has been adopted for numerical simulations for different detector conditions and configurations. The X-ray characterization of new SiC structures originates the improving of design of these detector systems.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 2; 252-255
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies