Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "85.40.Bh" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The Fast Differential Amplifier-Based Integrated Circuit Yield Analysis Technique
Autorzy:
Baskys, A.
Navickas, R.
Simkevicius, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1506253.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.De
85.30.Pq
85.40.Bh
85.40.Qx
Opis:
The fast differential amplifier-based integrated circuit yield analysis technique, which enables determining the interrelation between the integrated circuit yield and dimensions of circuit elements, has been presented. The technique is based on the common use of experimental statistical analysis and statistical modeling as well as on the introduction of the concept of the integrated circuit intermediate parameters. The results of yield analysis of the concrete integrated circuit based on the differential amplifiers are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 259-261
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electroluminescence Investigation of the Lateral Field Distribution in AlGaN/GaN HEMTs for Power Applications
Autorzy:
Baeumler, M.
Polyakov, V.
Gütle, F.
Dammann, M.
Benkhelifa, F.
Waltereit, P.
Reiner, R.
Müller, S.
Wespel, M.
Quay, R.
Mikulla, M.
Wagner, J.
Ambacher, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1197910.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.60.Fi
85.30.De
85.30.Tv
85.40.Bh
85.40.Qx
73.40.-c
73.90.+f
73.61.Ey
73.50.Mx
Opis:
The lifetime and stability of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors at high power levels can be enhanced by introducing field plates to reduce electric field peaks in the gate-drain region. Simulations of the electric field distribution along the channel using the 2D ATLAS software from Silvaco indicate that above a characteristic drain source voltage three spatially separated electric field peaks appear, one located at the drain-side edge of the gate foot, one at the end of the drain-sided gate field plate, and one at the end of the source shield field plate. The close correlation between lateral electric field and the electroluminescence due to hot electron related intra-band transitions can be very helpful when optimizing the electric field distribution in high power devices. Electroluminescence microscopy images of devices with gate and source shield field plate reveal the peaks located at the locations of enhanced electric field. By studying the voltage dependence of the electroluminescence peaks the influence of the field plates on the electric field distribution in source drain direction can be visualized.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 982-985
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies