Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Dyakonova, N." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Terahertz Photovoltaic Response of Si-MOSFETs: Spin Related Effect
    Autorzy:
    Videlier, H.
    Dyakonova, N.
    Teppe, F.
    Consejo, C.
    Chenaud, B.
    Knap, W.
    Lusakowski, J.
    Tomaszewski, D.
    Marczewski, J.
    Grabiec, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492958.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.Tv
    Opis:
    We report on investigations of photovoltaic response of Si-MOSFETs subjected to terahertz radiation in high magnetic fields. Then a DC drain-to-source voltage is developed that shows singularities in magnetic fields corresponding to paramagnetic resonance conditions. These singularities are investigated as a function of incident frequency, temperature and two-dimensional carrier density. We tentatively attribute these resonances to spin transitions of the electrons bound to Si dopants and discuss the possible physical mechanism of the photovoltaic signal generation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 927-929
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    THz Double-Grating Gate Transistor Detectors in High Magnetic Fields
    Autorzy:
    But, D.
    Dyakonova, N.
    Coquillat, D.
    Teppe, F.
    Knap, W.
    Watanabe, T.
    Tanimoto, Y.
    Boubanga Tombet, S.
    Otsuji, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1409591.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    07.57.Kp
    85.30.Tv
    73.43.Qt
    Opis:
    Double-grating-gate field-effect transistors have a great potential as terahertz detectors. This is because the double grating gate serves not only for carrier density tuning but also as an efficient THz radiation coupler. In this paper, we present characterization of these transistors using high magnetic fields. Low and high magnetic field data are used to determine the electron mobility and electron concentration, respectively, in different parts of the transistor channel.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1080-1082
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    THz Emission Related to Hot Plasmons and Plasma Wave Instability in Field Effect Transistors
    Autorzy:
    Dyakonova, N.
    El Fatimy, A.
    Meziani, Y.
    Coquillat, D.
    Knap, W.
    Teppe, F.
    Buzatu, P.
    Diforte-Poisson, M.
    Dua, C.
    Piotrowicz, S.
    Morvan, E.
    Delage, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492956.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.Tv
    Opis:
    The current flowing in two-dimensional channel of field effect transistors can generate different types of charge density perturbations. They can have a form of uncorrelated hot plasmons or plasma waves. The mechanism of plasma wave generation depends on the parameter ωt and on boundary conditions of the channel. At ωt ≪ 1 only hot plasmons can be generated. The THz emission due to radiative decay of hot plasmons has a broad spectrum and can be only poorly controlled by the transistor gate. The tunability of THz emission can be obtained in the case of the Dyakonov-Shur plasma wave instability. In this work we present experimental studies of THz emission in InGaP/InGaAs/GaAs and GaN/AlGaN based field effect transistors. We report on two types of emission onset: (i) a smooth one typical for hot plasmons generation and (ii) threshold-like one characteristic for plasma waves instabilities. The tunability and spectra of emission change depending on the transistor configuration. We discuss the results suggesting several possible mechanisms of plasma wave excitation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 924-926
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Terahertz Detection of Quantum Cascade Laser Emission by Plasma Waves in Field Effect Transistors
    Autorzy:
    Teppe, F.
    Consejo, C.
    Torres, J.
    Chenaud, B.
    Solignac, P.
    Fathololoumi, S.
    Wasilewski, Z.
    Zholudev, M.
    Dyakonova, N.
    Coquillat, D.
    El Fatimy, A.
    Buzatu, P.
    Chaubet, C.
    Knap, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492959.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.Tv
    07.57.Kp
    52.35.-g
    Opis:
    We report on the resonant detection of a 3.1 THz radiation produced by a quantum cascade laser using a 250 nm gate length GaAs/AlGaAs field effect transistor at liquid nitrogen temperature. We show that the physical mechanism of the detection is related to the plasma waves excited in the transistor channel. The detection is enhanced by increasing the drain current and driving the transistor into saturation regime. These results clearly show that plasma wave nanometer-size transistors can be used as detectors in all-solid-state terahertz systems where quantum cascade lasers act as sources.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 930-932
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies