Wszystkie pola: compact modeling - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Compact Modeling for Submicron Fully Depleted SOI MOSFETs
Autorzy:: Remmouche, R.
Boutaoui, N.
Bouridah, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1491285.pdf
Data publikacji:: 2012-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Qv
85.30.Tv
85.40.Bh
Opis:: In this paper, we have developed a novel compact charge-conservative model for fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs and implemented it in SPICE3. Our model is valid for the DC, small-signal and large-signal simulations over a wide range of temperature. Simulations made using the model, following parameter extraction, are validated by comparison with experimental data.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1; 190-192
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Compact Modeling of the Performance of SB-CNTFET as a Function of Geometrical and Physical Parameters
Autorzy:: Diabi, A.
Hocini, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1401300.pdf
Data publikacji:: 2015-04
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.35.Kt
85.30.Tv
Opis:: In this work, we study the effects of geometrical and physical parameters on the performances of SB-CNTFET using a compact model. The influences of the physical parameters (height of the Schottky barrier ($\Phi_{SB}$) capacity of oxide layer $(C_{INS})$ and geometrical parameter (nanotube diameter $(d_{CNT})$) on the static performance $(I_\text{ON}//I_\text{OFF})$ of SB-CNTFET have been investigated. We present a detailed analysis of the electrical performance of the SB-CNTFET or current-voltage characteristics$ (I_{D}=f(V_{DS})$ for different values of $V_{GS}$, and also the characteristics $(I_{D}=f(V_{GS}))$ for different values of $V_{DS}$. All these circuits are studied for a fixed value of $\Phi_{SB}=0.275 eV$.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 4; 1124-1127
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja