Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "61.70.-R" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Rapid Structure Perfection Diagnostics of GaAs Single Crystal by Diffraction of White X-Ray Radiation
Autorzy:
Khrupa, V. I.
Grigoryev, D. O.
Skorokhod, M. Ya.
Datsenko, L. I.
Bąk-Misiuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931661.pdf
Data publikacji:
1994-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
61.70.-r
Opis:
Sensitivity of X-ray integral reflectivity of GaAs single crystal to a degree of structure distortions was established to grow considerably in the Bragg diffraction case when the characteristic AgK_{α$\text{}_{1}}$ line is changed for more hard white radiation. In effect, the absorption length essentially exceeds the extinction length what results in enhancement of incoherent scattering. Measurements of X-ray integral reflectivity coordinate dependence by single crystal spectrometer permitted to determine the mean level of crystal lattice distortion as well as the degree of structure homogeneity of a sample with dislocations. The Debye-Waller static factor value was estimated from X-ray integral reflectivity magnitudes for the 800 reflection of white radiation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 591-596
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hydrostatic Pressure Effect on Oxygen Precipitates in Silicon Single Crystal
Autorzy:
Misiuk, A.
Adamczewska, J.
Bąk-Misiuk, J.
Härtwig, J.
Morawski, A.
Witczak, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890764.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.70.At
61.70.-r
81.40.-z
Opis:
The effect of hydrostatic pressure on some properties of Cz-Si with oxygen precipitates is investigated. The observed phenomena are discussed in terms of misfit between the precipitates and Si matrix.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 317-320
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Preannealing on Perfection of Czochralski Grown Silicon Crystals Subjected to High Pressure Treatment
Autorzy:
Datsenko, L. I.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Briginets, A.
Khrupa, V. I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931660.pdf
Data publikacji:
1994-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.40.-z
61.70.-r
Opis:
The effect of high temperature (up to 1120°C)-high pressure (up to 1.1 GPa) treatment on the resulting defect structure of preannealed (450-725°C, up to 96 hours) Czochralski grown Si crystals was studied by X-ray diffraction. The values of the Debye-Waller static factor and of the root-mean-square atomic displacement due to defects were determined for various Lane reflections. Well-defined development of the cluster like defect structure after high temperature pressurization depending to a substantial extent on the preannealing conditions was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 585-590
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies