Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Adamczewska, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Hydrostatic Pressure Effect on Oxygen Precipitates in Silicon Single Crystal
    Autorzy:
    Misiuk, A.
    Adamczewska, J.
    Bąk-Misiuk, J.
    Härtwig, J.
    Morawski, A.
    Witczak, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1890764.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.70.At
    61.70.-r
    81.40.-z
    Opis:
    The effect of hydrostatic pressure on some properties of Cz-Si with oxygen precipitates is investigated. The observed phenomena are discussed in terms of misfit between the precipitates and Si matrix.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 317-320
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Study of Strain Relaxation in Heteroepitaxial AlGaAs Layers Annealed under High Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Adamczewska, J.
    Misiuk, A.
    Regiński, K.
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Kozanecki, A.
    Kuritsyn, D.
    Glukhanyuk, W.
    Trela, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030644.pdf
    Data publikacji:
    2002-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.40.-z
    68.55.Ln
    Opis:
    The effect of treatment at up to 1270 K under hydrostatic argon pressure, up to 1.2 GPa, on strain relaxation of AlGaAs layers was investigated by X-ray diffraction and related methods. The 1.5μm thick AlGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy method on 001 oriented semi-insulating GaAs substrate at 950 K. An increase in intensity of X-ray diffuse scattering, originating from hydrostatic pressure-induced misfit dislocations, was observed for all treated samples. For the samples treated at 920 K during 1 h under 0.6 GPa, the diffuse scattering was confined to the [110] crystallographic direction perpendicular to the direction of dislocations. For the samples treated at 1.2 GPa at the same temperature and time conditions as for 0.6G Pa, a different behaviour is observed, namely the diffuse scattering extends along all azimuthal directions, indicating that dislocations are created in both [110] and [¯110] directions. The change of strain after the treatment was most pronounced for the samples treated at 1.2 GPa for 1 h at 920 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 689-699
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies