Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "74.65.+n" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Nanoscale Pattern Definition by Edge Oxidation of Silicon under the $Si_{3}N_{4}$ mask - PaDEOx
Autorzy:
Zaborowski, M.
Grabiec, P.
Dobrowolski, R.
Panas, A.
Skwara, K.
Szmigiel, D.
Wzorek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807538.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.-k
74.78.-w
81.16.Nd
81.16.Rf
81.65.Cf
Opis:
Well-controlled method of Si nanopattern definition - pattern definition by edge oxidation have been presented. The technique is suitable for fabrication of narrow paths of width ranged from several tens of nm to several μm by means of photolithography equipment working with μm-scale design rules. Process details influencing a shape of the Si pattern have been discussed. SEM examinations have been presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-139-S-141
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies