Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Taliashvili, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Ferromagnetic Transition in $Ge_{1-x}Mn_{x}Te$ Layers
Autorzy:
Knoff, W.
Domukhovski, V.
Dybko, K.
Dziawa, P.
Jakieła, R.
Łusakowska, E.
Reszka, A.
Świątek, K.
Taliashvili, B.
Story, T.
Szałowski, K.
Balcerzak, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791343.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
75.30.Et
81.15.Hi
Opis:
Ferromagnetic transition temperature in thin layers of diluted magnetic (semimagnetic) semiconductor $Ge_{1-x}Mn_{x}Te$ was studied experimentally by SQUID magnetometry method and analyzed theoretically for a model Ising-type diluted magnetic system with Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida indirect exchange interaction. The key features of the experimentally observed dependence of the Curie temperature on Mn content (x ≤ 0.12) and conducting hole concentration p = (1-10) × $10^{21} cm^{-3}$ were reproduced theoretically for realistic valence band and crystal lattice parameters of p-$Ge_{1-x}Mn_{x}Te$ taking into account short carrier mean free path encountered in this material and Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida mechanism with both delta-like and diffused character of spatial dependence of the exchange coupling between magnetic ions and free carriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 904-906
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
(Eu,Gd)Te - MBE Growth and Characterization
Autorzy:
Dziawa, P.
Taliashvili, B.
Domuchowski, W.
Łusakowska, E.
Arciszewska, M.
Demchenko, I.
Dobrowolski, W.
Dybko, K.
Fedorych, O. M.
Nadolny, A. J.
Osinniy, V.
Petrouchyk, A.
Story, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038228.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
81.15.Hi
Opis:
Monocrystalline thin layers of (Eu,Gd)Te, n-type ferromagnetic semiconductor, were grown by molecular beam epitaxy technique on BaF$\text{}_{2}$ (111) substrates. Reflection high-energy electron diffraction, X-ray diffraction, and atomic force microscopy characterization proved epitaxial mode of growth and high crystal quality of the layers. Magnetic susceptibility and magnetic resonance measurements showed that in (Eu,Gd)Te layers ferromagnetic transition takes place at about 13 K. Electrical characterization carried out by the Hall effect and resistivity measurements revealed very high electron concentration of 10$\text{}^{20}$~cm$\text{}^{-3}$ and sharp maximum of resistivity at transition temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 215-221
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies