Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Domagala, J" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
High-Resolution X-Ray Diffraction Studies on MBE-Grown p-ZnTe/n-CdTe Heterojunctions for Solar Cell Applications
Autorzy:
Wichrowska, K.
Domagala, J.
Wosinski, T.
Chusnutdinow, S.
Karczewski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1375736.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
81.05.Dz
81.15.Hi
88.40.jm
Opis:
High-resolution X-ray diffractometer was used to study structural quality, lattice parameters and misfit strain in p-ZnTe/n-CdTe heterojunctions grown by the molecular-beam epitaxy technique on two different (001)-oriented substrates of GaAs and CdTe. The X-ray diffractometer results indicate that the CdTe layers, grown on lattice mismatched GaAs substrate, are partially relaxed, by the formation of misfit dislocations at the interface, and display residual vertical strain of the order of $10^{-4}$. The presence of threading dislocations in the layers effectively limits the efficiency of solar energy conversion in the investigated heterojunctions. Homoepitaxially grown CdTe layers, of much better structural quality, display unexpected compressive strain in the layers and the relaxed lattice parameter larger than that of the substrate. Possible reasons for the formation of that unusual strain are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1083-1086
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MBE Growth and Properties of GaMnAs(100) Films
Autorzy:
Sadowski, J.
Domagała, J.
Bąk- Misiuk, J.
Świątek, K.
Kanski, J.
Ilver, L.
Oscarsson, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992165.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Hi
79.60.Bm
71.55.Eq
Opis:
We present here the results of measurements of structural and electronic properties of GaMnAs - a new diluted magnetic semiconductor system. This ternary III-V-Mn compound with the Mn content as high as 7% was obtained for the first time (by means of molecular beam epitaxial growth) by Ohno, Munekata et al. and the studies of its properties are not completed until now. We did the high resolution X-ray diffraction investigations and photoemission measurements of the samples with Mn content varied from about 0.1% up to 5%. The crystalline perfection of the ternary GaMnAs compound is very high - full width at half maximum of GaMnAs (400) Bragg reflections are of order of 50 arcseconds and the layers are fully strained to the GaAs(100) substrate. In photoemission experiments we traced the contribution of Mn 3d states to the band structure of GaMnAs ternary compound.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 509-513
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Solid Phase Epitaxy of Ferromagnetic MnAs Layer and Quantum Dots on Annealed GaMnAs
Autorzy:
Sadowski, J.
Kanski, J.
Adell, M.
Domagała, J. Z.
Janik, E.
Łusakowska, E.
Brucas, R.
Hanson, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044534.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Jt
81.15.Hi
68.65.Hb
68.37.Ps
Opis:
We show that post growth annealing of GaMnAs under As capping at temperatures in the range of 180-210ºC leads to significant surface modifications. Depending on GaMnAs layer thickness and composition, we obtain either a smooth continuous reacted (MnAs) surface layer or 3D islands (quantum dots). The surface modifications are due to a solid phase epitaxial process, in which Mn interstitials diffusing to the GaMnAs surface are bound with the As.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 851-858
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth and Properties of ZnMnTe Nanowires
Autorzy:
Zaleszczyk, W.
Janik, E.
Presz, A.
Szuszkiewicz, W.
Morhange, J. F.
Dłużewski, P.
Kret, S.
Kirmse, H.
Neumann, W.
Dynowska, E.
Domagała, J. Z.
Caliebe, W.
Aleszkiewicz, M.
Pacuski, W.
Golnik, A.
Kossacki, P.
Baczewski, L. T.
Petroutchik, A.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047697.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.46.Df
68.65.La
78.55.Et
78.67.Bf
81.15.Hi
Opis:
Catalytically enhanced growth of ZnMnTe diluted magnetic semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy is reported. The growth is based on the vapor-liquid-solid mechanism and was performed on (001) and (011)-oriented GaAs substrates from elemental sources. X-ray diffractometry, scanning and transmission electron microscopy, atomic force microscopy, photoluminescence spectroscopy, and Raman scattering were performed to determine the structure of nanowires, their chemical composition, and morphology. These studies revealed that the obtained ZnMnTe nanowires possess zinc-blende structure, have an average diameter of about 30 nm, typical length between 1 and 2μm and that Mn$\text{}^{2+}$ ions were incorporated into substitutional sites of the ZnTe crystal lattice.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 351-356
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies