Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Luka, G." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Structure Dependent Conductivity of Ultrathin ZnO Films
    Autorzy:
    Snigurenko, D.
    Kopalko, K.
    Krajewski, T.
    Łuka, G.
    Gierałtowska, S.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Dybko, K.
    Paszkowicz, W.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403646.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    78.66.Hf
    81.15.Gh
    Opis:
    Zinc oxide films dedicated for hybrid organic/inorganic devices have been studied. The films were grown at low temperature (100°C, 130C and 200°C) required for deposition on thermally unstable organic substrates. ZnO layers were obtained in atomic layer deposition processes with very short purging times in order to shift a structure of the films from polycrystalline towards amorphous one. The correlation between atomic layer deposition growth parameters, a structural quality and electrical properties of ZnO films was determined.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1042-1044
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties and Characterization of ALD Grown Dielectric Oxides for MIS Structures
    Autorzy:
    Gierałtowska, S.
    Sztenkiel, D.
    Guziewicz, E.
    Godlewski, M.
    Łuka, G.
    Witkowski, B. S.
    Wachnicki, Ł.
    Łusakowska, E.
    Dietl, T.
    Sawicki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048118.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Gh
    77.55.-g
    77.84.Bw
    81.05.Ea
    Opis:
    We report on an extensive structural and electrical characterization of undergate dielectric oxide insulators Al$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ and HfO$\text{}_{2}$ grown by atomic layer deposition. We elaborate the atomic layer deposition growth window for these oxides, finding that the 40-100 nm thick layers of both oxides exhibit fine surface flatness and required amorphous structure. These layers constitute a base for further metallic gate evaporation to complete the metal-insulator-semiconductor structure. Our best devices survive energizing up to ≈ 3 MV/cm at 77 K with the leakage current staying below the state-of-the-art level of 1 nA. At these conditions the displaced charge corresponds to a change of the sheet carrier density of 3 × 10$\text{}^{13}$ cm$\text{}^{-2}$, which promises an effective modulation of the micromagnetic properties in diluted ferromagnetic semiconductors.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 692-695
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Schottky Junctions Based on the ALD-ZnO Thin Films for Electronic Applications
    Autorzy:
    Krajewski, T.
    Luka, G.
    Smertenko, P.
    Zakrzewski, A.
    Dybko, K.
    Jakiela, R.
    Wachnicki, L.
    Gieraltowska, S.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492501.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.ag
    73.50.-h
    73.50.Bk
    73.61.Ga
    81.15.-z
    81.15.Gh
    Opis:
    The ZnO-based Schottky diodes revealing a high rectification ratio may be used in many electronic devices. This paper demonstrates several approaches to obtain a ZnO-based Schottky junction with a high rectification ratio. The authors tested several methods such as: post-growth annealing of the ZnO layer, acceptor (nitrogen) doping, as well as the ZnO surface coating with a properly chosen dielectric material. The influence of these approaches on the diode's rectification ratio together with modeling based on the differential approach and thermionic emission theory are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-017-A-021
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies