Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Guziewicz, E" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Synchrotron Photoemission Study of Ferromagnetic (Zn,Co)O Films
Autorzy:
Guziewicz, E.
Lukasiewicz, M.
Wachnicki, L.
Kopalko, K.
Dłużewski, P.
Jakiela, R.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492604.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.At
75.50.Pp
81.05.Dz
81.15.Gh
Opis:
The electronic structure of ferromagnetic (Zn,Co)O films was investigated by resonant photoemission across the Co 3p → Co 3d photoionization threshold, e.g. using photon energy between 50 eV and 66 eV. The films were grown by atomic layer deposition at temperature between 160C and 300C and they differed in distribution and content of cobalt. The maximum of the Fano resonance was observed at photon energy 63 eV, whereas the minimum at 58 eV. The difference between energy distribution curves taken at 63 eV and the one taken at 58 eV was calculated for a series of samples. It shows that the Co 3d contribution to the valence band electronic structure of ferromagnetic (Zn,Co)O films differs significantly from that of the films which show the paramagnetic response.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-040-A-042
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling for Checking Uniformity of ZnO and ZnCoO Thin Films
Autorzy:
Witkowski, B. S.
Łukasiewicz, M. I.
Wolska, E. A.
Kopalko, K.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048105.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
78.30.Fs
78.60.Hk
Opis:
We employ scanning electron microscopy and cathodoluminescence for evaluation of uniformity of ZnCoO films obtained by the atomic layer deposition. Cathodoluminescence quenching by Co ions allows us to detect (regions of weaker light emission) Co accumulations, with the resolution limited by diffusion length of secondary carriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 675-677
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure Dependent Conductivity of Ultrathin ZnO Films
Autorzy:
Snigurenko, D.
Kopalko, K.
Krajewski, T.
Łuka, G.
Gierałtowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Dybko, K.
Paszkowicz, W.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403646.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
81.15.Gh
Opis:
Zinc oxide films dedicated for hybrid organic/inorganic devices have been studied. The films were grown at low temperature (100°C, 130C and 200°C) required for deposition on thermally unstable organic substrates. ZnO layers were obtained in atomic layer deposition processes with very short purging times in order to shift a structure of the films from polycrystalline towards amorphous one. The correlation between atomic layer deposition growth parameters, a structural quality and electrical properties of ZnO films was determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1042-1044
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Properties and Characterization of ALD Grown Dielectric Oxides for MIS Structures
Autorzy:
Gierałtowska, S.
Sztenkiel, D.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Łuka, G.
Witkowski, B. S.
Wachnicki, Ł.
Łusakowska, E.
Dietl, T.
Sawicki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048118.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
77.55.-g
77.84.Bw
81.05.Ea
Opis:
We report on an extensive structural and electrical characterization of undergate dielectric oxide insulators Al$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ and HfO$\text{}_{2}$ grown by atomic layer deposition. We elaborate the atomic layer deposition growth window for these oxides, finding that the 40-100 nm thick layers of both oxides exhibit fine surface flatness and required amorphous structure. These layers constitute a base for further metallic gate evaporation to complete the metal-insulator-semiconductor structure. Our best devices survive energizing up to ≈ 3 MV/cm at 77 K with the leakage current staying below the state-of-the-art level of 1 nA. At these conditions the displaced charge corresponds to a change of the sheet carrier density of 3 × 10$\text{}^{13}$ cm$\text{}^{-2}$, which promises an effective modulation of the micromagnetic properties in diluted ferromagnetic semiconductors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 692-695
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Schottky Junctions Based on the ALD-ZnO Thin Films for Electronic Applications
Autorzy:
Krajewski, T.
Luka, G.
Smertenko, P.
Zakrzewski, A.
Dybko, K.
Jakiela, R.
Wachnicki, L.
Gieraltowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492501.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.ag
73.50.-h
73.50.Bk
73.61.Ga
81.15.-z
81.15.Gh
Opis:
The ZnO-based Schottky diodes revealing a high rectification ratio may be used in many electronic devices. This paper demonstrates several approaches to obtain a ZnO-based Schottky junction with a high rectification ratio. The authors tested several methods such as: post-growth annealing of the ZnO layer, acceptor (nitrogen) doping, as well as the ZnO surface coating with a properly chosen dielectric material. The influence of these approaches on the diode's rectification ratio together with modeling based on the differential approach and thermionic emission theory are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-017-A-021
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Do We Understand Magnetic Properties of ZnMnO?
Autorzy:
Godlewski, M.
Wójcik, A.
Kopalko, K.
Ivanov, V. Yu.
Wilamowski, Z.
Jakieła, R.
Guziewicz, E.
Szczepanik, A.
Dłużewski, P.
Chikoidze, E.
Barjon, J.
Dumont, Y.
Putkonen, M.
Niinistö, L.
Tang, Dong
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047644.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
75.75.+a
78.30.Fs
78.60.Hk
Opis:
Optical and magnetic properties of ZnMnO films are discussed based on the results of cathodoluminescence, photoluminescence, and magneto-photoluminescence investigations. We show that photoluminescence/cathodoluminescence emissions are strongly quenched and become in-plane inhomogeneous in samples with increased Mn fractions. Strong polarization of photoluminescence is observed, even though excitonic lines do not shift and are not split at magnetic fields up to 6 T.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 261-267
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies