Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "68.55.Df" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
On the High Compositional Uniformity of Thick GaAlAs Layers Grown by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Miotkowska, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923664.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
The results of electroepitaxial growth of thick GaAlAs layers on GaAs substrates are presented. It is experimentally proven that effective convective mixing of the solution volume results in the compositional uniformity of GaAlAs layers, even in spite of the high compositional non-uniformity of the material supplying the solutes (Al, As) to the solution during the growth of the layers. For the first time this allowed us to grow uniform GaAlAs layers with thicknesses up to 200-300 μm in a wide composition range from a small (5 g) amount of solution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 765-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
In Situ Monitoring of Electroepitaxial Growth of Thick AlGaAs Layers
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929752.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
In situ growth monitoring technique has been used to analyse growth disturbances during the liquid phase electroepitaxial growth of thick AlGaAs layers. It allowed us to explain the nature of growth instability occurring at the end of the growth and affecting the maximum thickness of AlGaAs layers obtainable by liquid phase electroepitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electroepitaxial Growth of GaSb and AlGaSb Thick Epitaxial Layers
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934052.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
Semi-bulk epitaxial layers of GaSb and AlGaSb up to 3 and 1 mm thick, respectively, were successfully grown by the liquid phase electroepitaxy on GaSb substrates. The growth procedure allowed us to achieve high crystallographic perfection as well as compositional uniformity of ternary layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 965-968
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies