Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "78.67.Hc" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Optical Properties of CdTe QDs Formed Using Zn Induced Reorganization
    Autorzy:
    Kobak, J.
    Pacuski, W.
    Jakubczyk, T.
    Kazimierczuk, T.
    Golnik, A.
    Frank, K.
    Rosenauer, A.
    Kruse, C.
    Hommel, D.
    Gaj, J. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048054.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.07.Ta
    78.67.Hc
    Opis:
    In this paper we present optical studies of CdTe quantum dots formed using Zn-induced reorganization. The pattern of quantum dot photoluminescence lines is found to be similar to typical results reported for quantum dots grown with other techniques, although the positively charged exciton line is relatively more pronounced. Also the energy spacing between biexciton and exciton lines is found to be larger than in typical results. Zn-induced reorganization results in quantum dots density higher by an order of magnitude than in Te-induced quantum dots.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 627-629
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Growth Break before Capping on Photoluminescence Dynamics of CdSe/ZnSe Self-Assembled Quantum Dots
    Autorzy:
    Nowak, S.
    Suffczyński, J.
    Goryca, M.
    Kossacki, P.
    Gaj, J.
    Lee, S.
    Furdyna, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811967.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.67.Hc
    81.07.Ta
    Opis:
    Influence of growth breaks before capping of CdSe self-assembled quantum dot layers on photoluminescence dynamics was examined in three samples. Short (5s) break resulted only in a small blue shift, caused probably by partial strain relaxation and/or Zn interdiffusion. Long (20 min) break induced a strong broadening and red shift of the spectra, combined with a dramatic slow down of the photoluminescence decays. The main result of the long break was identified as introduction of defects (impurities), which generate local electric fields and act as traps of photogenerated carriers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1267-1271
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoelectrical Properties of 1.3μm Emitting InAs Quantum Dots in InGaAs Matrix
    Autorzy:
    Persano, A.
    Cola, A.
    Vasanelli, L.
    Convertino, A.
    Leo, G.
    Cerri, L.
    Frassanito, M. C.
    Viticoli, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041798.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.67.Hc
    73.63.Kv
    81.07.Ta
    Opis:
    We present a study of photoelectrical properties of the Stranski-Krastanow InAs quantum dots embedded in an InGaAs matrix with low In content, emitting at about 1.3μm. The ground-state electron-hole transition of the dots was investigated as a function of the temperature in presence of electric fields parallel and perpendicular to the plane of the dots by photocurrent spectroscopy. Microphotoluminescence measurements were also carried out, allowing us to evidence carrier capture from the GaAs matrix into the dots.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 381-387
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Metalorganic Vapour Phase Epitaxy Growth of A^{III}B^{V} Heterostructures Observed by Reflection Anisotropy Spectroscopy
    Autorzy:
    Zíková, M.
    Hospodková, A.
    Pangrác, J.
    Vyskočil, J.
    Hulicius, E.
    Oswald, J.
    Komninou, P.
    Kioseoglou, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398563.pdf
    Data publikacji:
    2016-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Gh
    81.07.Ta
    78.67.Hc
    78.55.Cr
    Opis:
    Reflectance anisotropy spectroscopy is a useful technique used for in situ observation of the metalorganic vapour phase epitaxy growth, because it does not require vacuum in the reaction chamber. With this method we are able to observe the quantum dot growth, the incorporation of indium or antimony atoms in the layer or the monolayer growth of GaAs. We can also estimate the amount of InAs needed for the quantum dot formation, the time necessary for the quantum dot growth or reveal the unintended growth of InAs quantum dots from large dissolved InAs objects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-75-A-78
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    InSb Quantum Dots in an InAsSb Matrix Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Semenov, A. N.
    Solov'ev, V. A.
    Meltser, B. Ya.
    Lyublinskaya, O. G.
    Terent'ev, Ya. V.
    Sitnikova, A. A.
    Ivanov, S. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044535.pdf
    Data publikacji:
    2005-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    81.07.Ta
    81.15.Hi
    81.16.Dn
    Opis:
    We report on molecular beam epitaxy of InSb insertions in InAs and InAsSb matrices, emitting at wavelengths beyond 4μm. Different growth techniques for deposition of InSb quantum dots in the 1-2 monolayer range of the InSb nominal thickness, namely conventional molecular beam epitaxy and migration enhanced epitaxy, as well as different matrices (InAs and InAsSb) have been employed for increasing the emission wavelength of the InSb/InAs nanostructures. The formation of InSb quantum dots has been studied in situ using reflection high energy electron diffraction and ex situ by using transmission electron microscopy. The peculiarities of In(Ga)AsSb alloys growth and compositional control are also discussed. Bright photoluminescence up to 4.5μm has been observed at 80 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 859-865
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    III-V Quantum Dots in Dielectrics Made by Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
    Autorzy:
    Prucnal, S.
    Turek, M.
    Gao, K.
    Zhou, S.
    Pyszniak, K.
    Droździel, A.
    Żuk, J.
    Skorupa, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400484.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.30.Fs
    78.67.Hc
    81.05.Ea
    81.07.Ta
    81.15.Lm
    Opis:
    Different semiconductor nanocrystals synthesized in dielectrics on silicon are very interesting for applications in non-volatile memories and photovoltaics. In this paper we present an overview of microstructural and opto-electronic properties of different III-V quantum dots embedded in $SiO_2$ and $Si_3N_4$ made by sequential ion implantation and millisecond range flash lamp annealing. It is shown that within 20 ms post-implantation annealing high quality crystalline III-V quantum dots can be formed in different matrices. Formation of crystalline III-V quantum dots was confirmed by cross-section transmission electron microscopy, photoluminescence and μ-Raman spectroscopy. Flash lamp annealing is essentially a single-flash-single-wafer technique whose main attributes are the ease and control of processing over large wafer batches.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 935-938
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of Confinement Anisotropy on Excitonic Properties in InAs/InP Quantum Dashes
    Autorzy:
    Mrowiński, P.
    Musiał, A.
    Sęk, G.
    Misiewicz, J.
    Höfling, S.
    Somers, A.
    Hein, S.
    Forchel, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399087.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.35.-y
    71.70.Gm
    78.67.Hc
    73.21.-b
    81.07.Ta
    Opis:
    The influence of confinement potential anisotropy on emission properties of strongly elongated single InAs/InGaAlAs/InP quantum dashes has been investigated by polarization-resolved microphotoluminescence spectroscopy at around 1.5 μm. There have been determined the exciton fine structure splitting, degree of linear polarization of surface emission and biexciton binding energy. The investigated dashes exhibited usually: the exciton anisotropy splitting larger than 100 μeV, the corresponding biexciton binding energy of about 3 meV, and the degree of linear polarization values in the range from 24% to 55%. Here, we presented a correlation of these parameters for several quantum dashes, which can be attributed either to a change in lateral aspect ratio within the ensemble, or the carrier localization on random fluctuations of the dash confinement potential.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 801-804
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    MBE Growth of CdTe/ZnTe Quantum Dots with Single Mn Ions
    Autorzy:
    Gietka, K.
    Kobak, J.
    Rousset, J.
    Janik, E.
    Słupiński, T.
    Kossacki, P.
    Golnik, A.
    Pacuski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403652.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    81.07.Ta
    78.67.Hc
    75.50.Pp
    75.75.Cd
    75.30.Hx
    Opis:
    We report MBE growth and properties of samples with self assembled quantum dots with single manganese ions and low density of quantum dots. Manganese concentration was calibrated using magneto-reflectivity measurements and the giant Zeeman effect in (Cd,Mn)Te and (Zn,Mn)Te layers. Successful incorporation of Mn in the CdTe/ZnTe quantum dots was confirmed using micro-photoluminescence measurements: single manganese ion in quantum dot manifests in sixfold splitting of exciton emission lines due to s, p-d exchange interaction.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1056-1058
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies