Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lee, J. H." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Photoluminescence Studies of Aluminum Nitride Nanowires
Autorzy:
Yang, J.
Na, H.
Kim, H.
Kebede, M.
Choi, R.
Jeong, J.
Lee, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505466.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.-b
78.55.-m
Opis:
We report the production of AlN nanowires by the thermal heating method, for exploring their photoluminescence properties. The room-temperature photoluminescence properties were investigated with different annealing environment. While broad emissions with peaks at around 2.45 and 2.95 eV were obtained from both unannealed and annealed samples, the additional 2.1 eV peak was found from the annealed samples. We have suggested the possible emission mechanisms based on the assumption that both 2.45 eV peak and 2.1 eV peak are ascribed to the nitrogen vacancies. Annealing in N_2 environment exhibited lower intensities of 2.45 eV peak and 2.1 eV peak in comparison to those in Ar environment, presumably due to the suppression of nitrogen vacancies.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 125-127
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
$SiO_x$ Nanowires Produced on Molybdenum-Coated Si Substrates
Autorzy:
Kim, H.
Lee, J.
Yang, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813396.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.-b
78.55.-m
Opis:
We synthesized $SiO_x$ nanowires with diameters of 30-140 nm, for the first time by the simple heating of the Mo-coated Si substrates. X-ray diffraction, selected area electron diffraction, and energy-dispersive X-ray spectroscopy indicated that the nanowires were in an amorphous state, comprising Si and O only. Fitting the photoluminescence spectrum with Gaussian functions revealed that the nanowires exhibited significant photoluminescence intensities near blue and green light regions. We extensively discussed the possible growth mechanism of $SiO_x$ nanowires.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 1017-1020
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synthesis, Structure, Photoluminescence, and Raman Spectrum of Indium Oxide Nanowires
Autorzy:
Kim, H.
Na, H.
Yang, J.
Lee,, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505485.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.-b
78.55.-m
Opis:
Production of indium oxide $(In_2O_3)$ whiskers at a very low temperature of 650°C was reported. The synthetic route was comprised of a thermal heating process of a mixture of In and Mg powders. We have investigated the structural properties of the as-synthesized nanowires by using X-ray diffraction and scanning electron microscopy. The product consisted of one-dimensional nanowires, with a crystalline cubic structure of $In_2O_3$. The photoluminescence measurement with the Gaussian fitting exhibited visible light emission bands centered at 2.1 eV and 2.8 eV. The peaks of the Raman spectrum were indexed to the modes being associated with cubic $In_2O_3$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 143-145
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies