Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "73.22.Pr" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Next Nearest Neighbors Effects on Berry Curvature of Graphene
Autorzy:
Farajollahpour, T.
Rezvani, A.
Khodarahmi, M.
Arasteh, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1419852.pdf
Data publikacji:
2012-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.22.Pr
81.05.ue
Opis:
In this paper energy bands and Berry curvature of graphene was studied. Desired Hamiltonian regarding the next-nearest neighbors was obtained by tight-binding model. By using the second quantization approach, the transformation matrix is calculated and the Hamiltonian of system is diagonalized. With this Hamiltonian, the band structure and wave function can be calculated. By using calculated wave function the Berry connection and Berry curvature of our system are calculated. Our results are exactly consistent with previous methods and also the Berry curvature throughout the Brillouin zone get zero.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 1; 180-183
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ab Initio Modeling of Graphene Functionalized with Boron and Nitrogen
Autorzy:
Woińska, M.
Milowska, K.
Majewski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1409610.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.22.Pr
61.48.Gh
81.05.ue
Opis:
We investigate theoretically the electronic properties of graphene functionalized with nitrogen and boron atoms substituted into the graphene monolayer. Our study is based on the ab initio calculations in the framework of the density functional theory. We predict the dependence of the energy band gap, binding energy per atom, and the shift of the Fermi level on the concentration of dopants. Moreover, we examine the influence of the distribution of B/N atoms on the specified properties.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1087-1089
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Functional Properties of Monolayer and Bilayer Graphene Hall-Effect Sensors
Autorzy:
Kachniarz, M.
Petruk, O.
Salach, J.
Ciuk, T.
Strupiński, W.
Bieńkowski, A.
Szewczyk, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030244.pdf
Data publikacji:
2017-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.55.Ge
85.75.Ss
85.30.Fg
81.05.ue
73.22.Pr
72.80.Vp
Opis:
The paper describes the design, development, and investigation of a new type of Hall-effect sensors of a magnetic field made of graphene. The epitaxial growth of high-quality graphene structures was performed using a standard hot-wall CVD reactor, which allows for easy integration with an existing semiconductors production technologies. The functional properties of developed Hall-effect sensors based on graphene were investigated on special experimental setup utilizing Helmholtz coils as a source of reference magnetic field. Monolayer and quasi-free-standing bilayer graphene structures were tested. Results presented in the paper indicate that graphene is very promising material for development of Hall-effect sensors. Developed graphene Hall-effect sensor exhibit highly linear characteristics and high magnetic field sensitivity.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 5; 1250-1253
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies