Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "doping electrical properties" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Comparative study of Sb₂O₃ (Sb₂O₅) and Ta₂O₅ doping effects with TeO₂ on electrical properties of δ-Bi₂O₃
Autorzy:
Loubbidi, L.
Chagraoui, A.
Villain, S.
Bourja, L.
Orayech, B.
Ait Sidi Ahmed, O.
Moussaoui, A.
Tairi, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1154652.pdf
Data publikacji:
2016-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Je
82.47.Ed
Opis:
In this study, Sb₂O₃ (Sb₂O₅) and Ta₂O₅ are used as co-dopants with TeO₂ to stabilize the delta phase of bismuth oxide (δ -Bi₂O₃). Some compositions with formula (1-x) BiO_{1.5}-(x/4) Sb₂Te₂O₉ and (1-x) BiO_{1.5}-(x/4) Ta₂Te₂O₉ (x=0.1, 0.2, 0.3, 0.6, and 0.9) have been synthesized by solid state reaction at 850°C and characterized by powder X-ray diffraction. The Bi_{0.9}Sb_{0.05}Te_{0.05}O_{1.575}, Bi_{0.9}Ta_{0.05}Te_{0.05}O_{1.575} and Bi_{0.8}Ta_{0.1}Te_{0.1}O_{1.65} retain a cubic fluorite structure of δ -Bi₂O₃ phase. The electric properties were studied by impedance spectroscopy. All samples were evaluated by calculating conductivities and activation energies. Various impedance model including constant phase element and the Warburg impedances have been used to interpret the Nyquist representations of electrical analyses.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 862-865
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies