Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dluzewski, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Synchrotron Photoemission Study of Ferromagnetic (Zn,Co)O Films
Autorzy:
Guziewicz, E.
Lukasiewicz, M.
Wachnicki, L.
Kopalko, K.
Dłużewski, P.
Jakiela, R.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492604.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.At
75.50.Pp
81.05.Dz
81.15.Gh
Opis:
The electronic structure of ferromagnetic (Zn,Co)O films was investigated by resonant photoemission across the Co 3p → Co 3d photoionization threshold, e.g. using photon energy between 50 eV and 66 eV. The films were grown by atomic layer deposition at temperature between 160C and 300C and they differed in distribution and content of cobalt. The maximum of the Fano resonance was observed at photon energy 63 eV, whereas the minimum at 58 eV. The difference between energy distribution curves taken at 63 eV and the one taken at 58 eV was calculated for a series of samples. It shows that the Co 3d contribution to the valence band electronic structure of ferromagnetic (Zn,Co)O films differs significantly from that of the films which show the paramagnetic response.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-040-A-042
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Properties of GaN Nanocolumns Grown by Plasma - Assisted MBE on Si (111) Substrates
Autorzy:
Zytkiewicz, Z.
Dluzewski, P.
Borysiuk, J.
Sobanska, M.
Klosek, K.
Witkowski, B.
Setkiewicz, M.
Pustelny, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492480.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Hi
81.05.Dz
61.46.Km
Opis:
We report on growth of GaN nanocolumns by plasma assisted MBE on (111) silicon substrates and on their characterization. The nanocolumns nucleate on the substrate spontaneously without use of any catalyst, probably by the Volmer-Weber mechanism. Transmission electron microscopy analysis shows high crystalline quality of GaN nanocolumns and their good alignment with the c-axis being perpendicular to the substrate. Preliminary results on use of GaN nanocolumns in gas sensor devices are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-015-A-016
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence Properties of ZnO and ZnCdO Nanowires
Autorzy:
Zaleszczyk, W.
Fronc, K.
Aleszkiewicz, M.
Paszkowicz, W.
Wróbel, J.
Dłużewski, P.
Kret, S.
Klepka, M.
Kłopotowski, Ł.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047698.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.67.Bf
81.05.Dz
81.07.Bc
Opis:
We report on the photoluminescence studies of ZnO and ZnCdO nanowires grown on SiO$\text{}_{2}$/Si substrates by low-pressure vapor phase synthesis. X-ray diffraction and transmission electron microscopy measurements show that the crystallographic structure of these ZnO and ZnCdO nanowires is of wurtzite-type with a high crystal perfection. Surface morphology of samples was determined by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. The photoluminescence spectra of as-grown nanowires, nanowires extracted from the substrate and deposited onto Si wafer, and nanowires dispersed in ethanol by sonication were investigated at room temperature and compared to each other. The temperature dependence of the near band-gap photoluminescence emitted by the as-grown nanowires was also measured and analyzed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 357-362
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies