Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jin, G." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
ZnO Nanorods on Nanofibrous ZnO Seed Layers by Hydrothermal Method and Their Annealing Effects
Autorzy:
Yim, K.
Jeon, S.
Kim, M.
Kim, S.
Nam, G.
Lee, D.
Kim, Jin
Kim, Jong
Leem, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1491348.pdf
Data publikacji:
2012-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.15.Lm
78.55.Et
Opis:
ZnO nanorods were grown by using the hydrothermal method on p-type Si (100) substrates with nanofibrous ZnO seed layers. Before the ZnO nanorods growth, nanofibrous ZnO seed layers were spin-coated onto the Si substrates. The structural and optical properties of ZnO nanorods were characterized by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and photoluminescence. The fibrous ZnO nanorods is possible due to the surface morphology of the nanofibrous ZnO seed layers. To investigate annealing effects of the ZnO nanorods, the post-annealing process was carried out at various temperatures ranging from 300 to 700C under argon conditions. The structural and optical properties of the ZnO nanorods were also affected by the post-annealing treatment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1; 214-216
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth and Characterization of Indium-Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by Sol-Gel Method
Autorzy:
Kim, M.
Yim, K.
Kim, S.
Nam, G.
Lee, D.
Kim, Jin
Kim, Jong
Leem, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1491351.pdf
Data publikacji:
2012-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.20.Fw
78.66.Hf
Opis:
Indium-doped ZnO thin films were deposited by sol-gel spin-coating method with various In content. The effects of In content on the structural and optical properties of the indium-doped ZnO thin films were investigated by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and UV-visible spectroscopy. The particle-like surface morphology and the crystallinity of the indium-doped ZnO thin films were affected by change in the In content, especially at the In content of 3 at.%. The values of direct band gap were decreased with increase in the In content. The width of localized states in the optical band gap of the indium-doped ZnO thin films were changed with In content and the Urbach energy $(E_{U})$ was changed inversely with optical band gap of the indium-doped ZnO thin films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1; 217-220
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies