Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ratajczak, Z." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Channeling Study of Co and Mn Implanted and Thermally Annealed Wide Band-Gap Semiconducting Compounds
Autorzy:
Ratajczak, R.
Werner, Z.
Barlak, M.
Pochrybniak, C.
Stonert, A.
Zhao, Q.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402209.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.43.-j
61.72.-y
81.05.-t
82.80.-d
85.40.-e
Opis:
The defect build-up, structure recovery and lattice location of transition metals in ion bombarded and thermally annealed ZnO and GaN single crystals were studied by channeled Rutherford backscattering spectrometry and channeled particle-induced X-ray emission measurements using 1.57 MeV ⁴He ions. Ion implantation to a fluence of 1.2×10¹⁶ ions/cm² was performed using 120 keV Co and 120 keV Mn ions. Thermal annealing was performed at 800°C in argon flow. Damage distributions were determined using the Monte Carlo McChasy simulation code. The simulations of channeled Rutherford backscattering spectra reveal that the ion implantation leads to formation of two types of defect structures in ZnO and GaN such as point and extended defects, such as dislocations. The concentrations of both types of defects are at a comparable level in both structures and for both implanted ions. Differences between both implantations appear after thermal annealing where the Mn-doped ZnO reveals much better transition metals substitution and recovery effect.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 845-848
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies