Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Deng, R.G." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Systematic Measurements of Doppler-Coincidence Spectra for Positron Annihilation in Pure Metals and Semiconductors
Autorzy:
Deng, W.
Pliszka, D.
Brusa, R. S.
Karwasz, G. P.
Zecca, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030758.pdf
Data publikacji:
2002-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.60.+z
78.70.Bj
Opis:
Doppler-broadening measurements of the electron-positron annihilation line in twenty six elements are presented. The adopted coincidence technique allows to reduce the background and point out the contribution of positron annihilation with core electrons. The changes of the high momentum contribution is presented for selected examples and a semiempirical analysis of the dependence on electronic structure is performed. Measured data are in a good agreement with recent theoretical calculations and can be used to identification of impurities surrounding open volume defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 6; 875-892
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surfaces of Electron-Emitting Glasses Studied by a Slow Positron Beam
Autorzy:
Pliszka, D.
Gazda, M.
Kusz, B.
Trzebiatowski, K.
Karwasz, G. P.
Deng, W.
Brusa, R. S.
Zecca, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2025748.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.60.+z
78.70.Bj
Opis:
Semi-conducting glasses used for electron multipliers and microchannel plate devices are obtained by surface modification of Pb or Bi-reach silicon-based glasses. The reduced layer extends down to 200-500 nm, much more than the effective depth of the electron-emitting layer. By the use of slow-positron beam we monitor the structural changes undergoing in near-to-surface layers after isothermal annealing. The measurements suggest a possible correlation between secondary-electron emission coefficient and the Doppler-broadening S-parameter. On these samples there were also performed atomic force microscopy, secondary electron emission, differential scanning calorimetry, and electric conductivity measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 99, 3-4; 465-472
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies