Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wójtowicz, Ł." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Identification of Optical Transitions from CdTe and CdMnTe Quantum Dots Embedded in ZnTe Nanowires
    Autorzy:
    Szymura, M.
    Kłopotowski, Ł.
    Wojnar, P.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399096.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.67.Uh
    78.67.Hc
    Opis:
    We study photoluminescence properties of CdTe and CdMnTe quantum dots embedded in ZnTe nanowires. The nanowires were grown by molecular beam epitaxy, applying the vapor-liquid-solid growth mechanism. Linear polarization anisotropy measurements allow us to assess that the excitonic transitions originate from a single nanowire. We identify the optical transitions by comparing observed spectroscopic shifts with the universal emission pattern from the epitaxial CdTe dots. We support this identification by analyzing the photoluminescence intensity dependence on excitation power.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 824-826
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Luminescence Decay in Deep Quantum Wells CdTe/Cd_{0.5}Mn_{0.5}Te at Room Temperature
    Autorzy:
    Kowalczyk, L.
    Fancey, S.
    Buller, G.
    Massa, J.
    Kutrowski, M.
    Janik, E.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Zakrzewski, A.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1876908.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Hf
    78.47.+p
    78.55.Et
    Opis:
    Time-resolved photoluminescence was used to study exciton recombination in deep CdTe/Cd_{0.5}Mn_{0.5}Te single quantum well. The width of the investigated well was 100 A. The study was performed at room temperature. The lifetime of the exciton determined in this work has a value comparable to that observed in shallow CdTe/Cd_{0.85}Mn_{0.15}Te quantum wells. A strong enhancement of the photoluminescence decay time with increasing intensity of the exciting laser beam is observed which is indicative of saturation of the non-radiative recombination centers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 508-513
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence Properties of ZnO and ZnCdO Nanowires
    Autorzy:
    Zaleszczyk, W.
    Fronc, K.
    Aleszkiewicz, M.
    Paszkowicz, W.
    Wróbel, J.
    Dłużewski, P.
    Kret, S.
    Klepka, M.
    Kłopotowski, Ł.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047698.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.67.Bf
    81.05.Dz
    81.07.Bc
    Opis:
    We report on the photoluminescence studies of ZnO and ZnCdO nanowires grown on SiO$\text{}_{2}$/Si substrates by low-pressure vapor phase synthesis. X-ray diffraction and transmission electron microscopy measurements show that the crystallographic structure of these ZnO and ZnCdO nanowires is of wurtzite-type with a high crystal perfection. Surface morphology of samples was determined by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. The photoluminescence spectra of as-grown nanowires, nanowires extracted from the substrate and deposited onto Si wafer, and nanowires dispersed in ethanol by sonication were investigated at room temperature and compared to each other. The temperature dependence of the near band-gap photoluminescence emitted by the as-grown nanowires was also measured and analyzed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 357-362
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence Properties of ZnO Nanowires Grown on Ni Substrate
    Autorzy:
    Zaleszczyk, W.
    Fronc, K.
    Przeździecka, E.
    Janik, E.
    Czapkiewicz, M.
    Wróbel, J.
    Paszkowicz, W.
    Kłopotowski, Ł.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Presz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812028.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.67.Bf
    81.05.Dz
    81.07.Bc
    Opis:
    Photoluminescence studies of zinc oxide nanowires produced by a carbo-thermal method on a nickel foil substrate are reported. Two types of as-grown samples: the first - containing only buffer film, and the second - containing both zinc oxide nanowires and buffer film grown in the same technological process, were investigated by means of the temperature-dependent photoluminescence. X-ray diffraction measurements of buffer film show that it is polycrystalline and is composed from wurtzite-type ZnO (main phase) and includes minority phases: rock salt type (Ni,Zn)O and hexagonal C₃N₄. The shape of the apparently monocrystalline nanowires is characterized by hexagonal section matching with the expectations of the hexagonal ZnO structure. The presence of LO-phonon replicas in photoluminescence spectra for the second sample is used as an argument for confirmation that ZnO nanowires are single crystalline. The method of growth of ZnO nanowires on nickel oxide opens perspectives to produce $Zn_{1-x}Ni_{x}O$ diluted magnetic semiconductor nanowires.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1451-1456
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth and Properties of ZnMnTe Nanowires
    Autorzy:
    Zaleszczyk, W.
    Janik, E.
    Presz, A.
    Szuszkiewicz, W.
    Morhange, J. F.
    Dłużewski, P.
    Kret, S.
    Kirmse, H.
    Neumann, W.
    Dynowska, E.
    Domagała, J. Z.
    Caliebe, W.
    Aleszkiewicz, M.
    Pacuski, W.
    Golnik, A.
    Kossacki, P.
    Baczewski, L. T.
    Petroutchik, A.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047697.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.46.Df
    68.65.La
    78.55.Et
    78.67.Bf
    81.15.Hi
    Opis:
    Catalytically enhanced growth of ZnMnTe diluted magnetic semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy is reported. The growth is based on the vapor-liquid-solid mechanism and was performed on (001) and (011)-oriented GaAs substrates from elemental sources. X-ray diffractometry, scanning and transmission electron microscopy, atomic force microscopy, photoluminescence spectroscopy, and Raman scattering were performed to determine the structure of nanowires, their chemical composition, and morphology. These studies revealed that the obtained ZnMnTe nanowires possess zinc-blende structure, have an average diameter of about 30 nm, typical length between 1 and 2μm and that Mn$\text{}^{2+}$ ions were incorporated into substitutional sites of the ZnTe crystal lattice.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 351-356
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies