Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Misiewicz, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Hopping Excitons in GaInNAs - Simulation οf Micro- and Macrophotoluminescence Spectra
    Autorzy:
    Baranowski, M.
    Latkowska, M.
    Kudrawiec, R.
    Misiewicz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492914.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Fd
    78.55.Cr
    78.20.Bh
    Opis:
    Model of hopping excitons has been applied to explain the origin of sharp lines observed in microphotoluminescence spectra of GaInNAs layers. It has been shown that shape of the micro- and macrophotoluminescence spectra results from the exciton hopping between localizing centers and this phenomenon is responsible for the observation of sharp lines in microphotoluminescence experiment. In addition, the influence of different model parameters on photoluminescence spectra and their characteristic parameters such as the Stokes shift and full width at half maximum has been investigated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 899-901
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monte Carlo Simulations of the Influence of Localization Centres on Carrier Dynamics in GaInNAs Quantum Wells
    Autorzy:
    Baranowski, M.
    Kudrawiec, R.
    Latkowska, M.
    Syperek, M.
    Misiewicz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403636.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.20.Bh
    78.55.Qr
    Opis:
    Model of hopping excitons is applied to study the carrier dynamics in GaInNAs/GaAs quantum well system. Impact of parameters describing localizing states (i.e., an average energy and density) on carrier dynamics in GaInNAs material is investigated theoretically. It is shown how those parameters affect the quantities that can be extracted from time resolved photoluminescence experiments. It is shown that obtained simulations can be very helpful in the interpretation of the experimental data.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1022-1025
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fine Structure of the Localized Emission from GaInNAs Layers Studied by Micro-Photoluminescence
    Autorzy:
    Kudrawiec, R.
    Latkowska, M.
    Sęk, G.
    Misiewicz, J.
    Ibáñez, J.
    Henini, M.
    Hopkinson, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791353.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.66.Fd
    Opis:
    GaInNAs bulk-like layers ( ≈ 20% In and ≈ 3% N) grown on GaAs substrate with various crystallographic orientations have been studied by micro-photoluminescence at low temperatures for a broad range of excitation conditions. In addition to photoluminescence peaks, which are associated with heavy- and light-hole free exciton recombination, a band of sharp lines was observed below the fundamental free exciton transition at low excitation. It shows that the localized emission which is typical of this alloy at low temperatures is composed of individual narrow photoluminescence lines which are associated with the recombination of single excitons. They can be localized on various local potential minima including those originating from the alloy content fluctuations and/or deep acceptor(donor)-like complexes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 930-932
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Room Temperature Carrier Kinetics in the W-type GaInAsSb/InAs/AlSb Quantum Well Structure Emitting in Mid-Infrared Spectral Range
    Autorzy:
    Syperek, M.
    Ryczko, K.
    Dallner, M.
    Dyksik, M.
    Motyka, M.
    Kamp, M.
    Höfling, S.
    Misiewicz, J.
    Sęk, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398579.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.21.Fg
    78.47.D-
    78.30.Fs
    78.47.jg
    78.55.Cr
    78.67.De
    Opis:
    Room temperature carrier kinetics has been investigated in the type-II W-design $AlSb//InAs//Ga_{0.80}In_{0.20}As_{0.15}Sb_{0.85}//InAs//AlSb$ quantum well emitting in the mid-infrared spectral range (at 2.54 μ m). A time-resolved reflectance technique, employing the non-degenerated pump-probe scheme, has been used as a main experimental tool. Based on that, a primary carrier relaxation time of 2.3±0.2 ps has been found, and attributed to the initial carrier cooling process within the quantum well states, while going towards the ground state via the carrier-optical phonon scattering mechanism. The decay of a quasi-equilibrium carrier population at the quantum well ground states is primarily governed by two relaxation channels: (i) radiative recombination within distribution of spatially separated electrons and holes that occurs in the nanosecond time scale, and (ii) the hole tunnelling out of its confining potential, characterized by a 240±10 ps time constant.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1224-1228
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies