Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Chen, W.M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Optically Detected Magnetic Resonance Studies of Te-Related Shallow Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Fronc, K.
    Chen, W. M.
    Monemar, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1890838.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.20.Jv
    76.70.Hb
    78.55.Cr
    Opis:
    The first studies of the Optically Detected Magnetic Resonance (ODMR) of Te-doped (x = 0.42) are presented. The ODMR data indicate an efficient energy transfer between epilayer and GaAs substrate.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 341-344
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures
    Autorzy:
    Karpińska, K.
    Godlewski, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Chen, W. M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921617.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    76.70.Hb
    78.55.Cr
    Opis:
    The results of photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments are presented for thick AlGaAs epilayers grown by liquid phase electroepitaxy method on GaAs:Cr substrate. These results indicate an efficient energy transfer from excited AlGaAs to GaAs.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 713-716
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Luminescence of Highly Excited Nonpolar a-Plane GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells
    Autorzy:
    Juršėnas, S.
    Kuokštis, E.
    Miasojedovas, S.
    Kurilčik, G.
    Žukauskas, A.
    Chen, C. Q.
    Yang, J. W.
    Adivarahan, V.
    Asif Khan, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038100.pdf
    Data publikacji:
    2004-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.21.Fg
    72.20.Jv
    78.47.+p
    Opis:
    Carrier recombination dynamics in polar and nonpolar GaN epilayers and GaN/AlGaN multiple quantum wells grown over sapphire substrates with various crystallographic orientation were studied under high photoexcitation by 20 ps laser pulses. The transient of luminescence featured a significant enhancement in nonradiative recombination of free carriers for nonpolar a-plane GaN epilayers compared to conventional c-plane samples. The epitaxial lateral overgrowth technique was demonstrated to significantly improve the quality of nonpolar a-plane films. This was proved by more than 40-fold increase in luminescence decay time (430 ps compared to ≤10 ps in the ordinary a-plane epilayer). Under high-excitation regime, a complete screening of built-in electric field by free carriers in multiple quantum wells grown on c-plane and r-plane sapphire substrates was achieved. Under such high excitation, luminescence efficiency and carrier lifetime of multiple quantum wells was shown to be determined by the substrate quality.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 567-573
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Luminescence of Highly Photoexcited GaN Epilayers and Heterostructures Grown on Different Sapphire Crystal Planes
    Autorzy:
    Juršėnas, S.
    Miasojedovas, S.
    Kurilčik, G.
    Liuolia, V.
    Žukauskas, A.
    Chen, C. Q.
    Yang, J. W.
    Kuokštis, E.
    Adivarahan, V.
    Asif Khan, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041736.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.21.Fg
    72.20.Jv
    78.47.+p
    Opis:
    GaN epilayers and AlGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition on different crystal planes (c, a, and r) of the sapphire substrate were studied by excitation intensity dependent and time-resolved photoluminescence. In polar multiple quantum wells grown on a- and c-planes, a blueshift of the luminescence band with increasing the excitation energy was observed, indicating that screening of built-in field by free carriers takes place, whereas in nonpolar r-plane grown multiple quantum wells, the luminescence band maintained an almost constant peak position. Full screening of built-in field was achieved at the excitation densities higher than 0.3 mJ/cm$\text{}^{2}$. Under conditions of screened built-in electric field the structures were characterized by carrier lifetime. It was shown that nonpolar multiple quantum wells suffer from high density of nonradiative traps that can be due to substrate related threading dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 235-239
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies