Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Aslam, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Electrical and Interfacial Properties of p-Si/P3HT Organic-on-Inorganic Junction Barrier
Autorzy:
Yakuphanoglu, F.
Shah, M.
Aslam Farooq, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493722.pdf
Data publikacji:
2011-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Pr
78.40.Me
Opis:
The electrical characterization of the Al/p-Si/P3HT/Ag organic-on-inorganic diode was done by current-voltage, capacitance-voltage and conductance-voltage methods. The values of ideality factor and barrier height of the diode were determined from the current-voltage characteristics and found as 2.32 and 0.77 eV, respectively. These values were also determined from Cheung's functions and Norde's method due to the non-ideal behavior of the diode. The electronic parameters obtained from the various methods indicate a good consistency with each other. The density of interface states for Al/p-Si/P3HT/Ag organic-on-inorganic diode was found to be $7.64 × 10^{10} cm^{-2} eV^{-1}$. The obtained electrical parameters of the Al/p-Si/P3HT/Ag organic-on-inorganic diode are higher than that of the conventional Ag/p-Si Schottky diodes. This indicates that the electrical properties of the silicon Schottky diodes can be controlled using organic interfacial layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 3; 558-562
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies