Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "78.40.-q" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Fabrication and Characterization of Semiconductor CuCl Nanocrystals
Autorzy:
Mahtout, S.
Belkhir, M. A.
Samah, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2037157.pdf
Data publikacji:
2004-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.-n
78.40.Fy
78.40.-q
Opis:
CuCl nanocrystals were elaborated in a NaCl ionic matrix by doping the latter with copper powder during growth. Optical absorption measurements revealed nanocrystals with a mean size of order 32 Å. This is consolidated by the Raman scattering measurements which showed nanodomains of similar size. X-ray diffraction measurements indicate a good crystallinity of the matrix and confirm the presence of CuCl nanocrystals within our samples. The annealing effect at 300˚C showed an increase in CuCl nanocrystal size with annealing time and demonstrated clearly the existence of a compound containing copper within our samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 3; 279-286
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tuning Optical Absorption Edge by Composition and Temperature in $TlGaS_{2x}Se_{2(1-x)}$ Layered Mixed Crystals (0 ≤ x ≤ 1)
Autorzy:
Gasanly, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1418284.pdf
Data publikacji:
2012-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ci
78.40.-q
78.40.Fy
Opis:
Optical properties of $TlGaS_{2x}Se_{2(1-x)}$ mixed crystals (0 ≤ x ≤1) have been studied using the transmission and reflection measurements in the wavelength range of 400-1100 nm. The optical indirect band gap energies were determined through the analysis of the absorption data. It was found that the energy band gaps increase with increase of sulfur atoms content in $TlGaS_{2x}Se_{2(1-x)}$ mixed crystals. From the transmission measurements carried out in the temperature range of 10-300 K, the rates of change of the indirect band gaps with temperature were established for the different compositions of mixed crystals studied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 4; 728-731
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Absorption and Reflection Studies of Tl$\text{}_{4}$InGa$\text{}_{3}$S$\text{}_{8}$ Layered Single Crystals
Autorzy:
Goksen, K.
Gasanly, N. M.
Ozkan, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047363.pdf
Data publikacji:
2007-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ci
78.40.-q
78.40.Fy
Opis:
The optical properties of Tl$\text{}_{4}$InGa$\text{}_{3}$S$\text{}_{8}$ layered single crystals have been studied by means of transmission and reflection measurements in the wavelength region between 400 and 1100 nm. The analysis of the room temperature absorption data revealed the presence of both optical indirect and direct transitions with band gap energies of 2.40 and 2.61 eV, respectively. Transmission measurements carried out in the temperature range of 10-300 K revealed the rate of change of the indirect band gap with temperature asγ=-6.0×10$\text{}^{-4}$ eV/K. The absolute zero value of the band gap energy was obtained as E$\text{}_{gi}$(0)= 2.52 eV. The dispersion of the refractive index is discussed in terms of the Wemple-DiDomenico single-effective-oscillator model. The refractive index dispersion parameters: oscillator energy, dispersion energy, oscillator strength, and zero-frequency refractive index were found to be 5.07 eV, 26.67 eV, 8.82×10$\text{}^{13}$ m$\text{}^{-2}$, and 2.50, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 1; 93-100
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies