Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Witowski, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Long-wavelength Optical Phonons in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se and Cd$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se Mixed Crystals
Autorzy:
Witowski, A. M.
Hausenblas, M.
Wyder, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886654.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.20.Dj
78.30.Fs
Opis:
The results of FIR reflectivity measurements for CdMnSe and CdFeSe are presented. These results are described theoretically using Dynamic Dielectric Function in which two phonon modes are included. The composition dependencies of mode parameters and dielectric constant are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 311-314
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An Estimate of the Energy Gap of InN from Measurements of the Fundamental Absorption Edge
Autorzy:
Trautman, P.
Pakuła, K.
Witowski, A. M.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044548.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
78.40.Fy
78.30.Fs
78.66.Fd
81.05.Ea
Opis:
Optical absorption between 0.4 and 4.5 eV of an InN layer grown by metalorganic vapour phase epitaxy on sapphire was measured at 296 and 12 K. The layer was also characterized by measurements of the Hall effect and of infrared reflectivity in the region of the plasma edge, which determined the concentration, mobility, and effective mass of electrons in the conduction band. The energy gap of InN was estimated to be equal to 0.9±0.2 eV. It was obtained from the spectral position of the fundamental absorption edge. Corrections to the energy gap resulting from the broadening of the fundamental absorption edge, from the Burstein-Moss shift, and from a band-gap shrinkage due to the impurity potential were included.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 903-908
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Changes of FIR Reflectivity of HgSe:Cr in a Magnetic Field
Autorzy:
Hausenblas, M.
Wyder, P.
Witowski, A. M.
Wittlin, A.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921666.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
78.30.Fs
Opis:
The results of FIR magnetoreflectivity of HgSe:Cr are presented. They are interpreted using a classical dynamic dielectric function.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 741-744
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Do the Mixed Crystals HgSeS Exhibit the One-Mode Behavior?
Autorzy:
Szuszkiewicz, W.
Witowski, A. M.
Julien, C.
Balkanski, M.
Dybko, K.
Witkowska, B.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924226.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
78.30.Fs
Opis:
The low-temperature far-infrared reflectivity spectra of HgSe and HgSeS are measured and analysed. The results suggest the one-mode behavior of phonon excitations in HgSeS mixed crystals.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 887-889
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infrared Spectroscopy of GaAs Doped with Mn
Autorzy:
Rutkowska, A.
Wasik, D.
Witowski, A.
Sadowski, M.
Orłowski, W.
Strzelecka, G.
Hruban, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Potemski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044531.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ej
78.20.Ls
78.30.Fs
Opis:
We found that the fine structure related to Lyman spectra of [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] centers in GaAs was present only for samples with low Mn concentration. Such samples, at low temperature, did not show any hopping conductance within Mn impurity band. Magnetooptical measurements revealed that magnetic field induced splitting of the Lyman optical transitions was larger than Zeeman splitting observed for typical shallow acceptors in GaAs, like Be, Zn, and C. This experimental result proved that in the case of Mn acceptor impurity, the exchange coupling of a hole and the S = 5/2 Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) core could not be neglected, which was in accordance with the [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] model of the neutral Mn center in GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 845-849
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies