Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Svane, A." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Electronic Structure and Optical Properties of GaAs$\text{}_{1-x}$N$\text{}_{x}$ and Ga$\text{}_{1-x}$B$\text{}_{x}$As Alloys
Autorzy:
Gonzalez Szwacki, N.
Bogusławski, P.
Gorczyca, I.
Christensen, N. E.
Svane, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035594.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Nr
78.20.Bh
Opis:
The electronic band structure of GaAs$\text{}_{1-x}$N$\text{}_{x}$ (x=0.016 and 0.031) and Ga$\text{}_{1-x}$B$\text{}_{x}$As (x= 0.031) is studied by ab initio calculations using a supercell approach. Based on ab initio calculations and group theory we present a comprehensive analysis of the electronic structure of GaAs:N and GaAs:B alloys. In particular, we study the effective mass of conduction electrons in GaAs:N as a function of pressure and the Fermi energy. We find that the lowest conduction band is strongly non-parabolic, which leads to an increase in the effective mass with the electron energy. The rate of the increase is enhanced by the hydrostatic pressure. Theoretical results are compared to experimental data, and a qualitative agreement is found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 633-641
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies