Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wachnicki, L." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Electronic Properties of Stacked ZrO₂ Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC
    Autorzy:
    Król, K.
    Kwietniewski, N.
    Gierałtowska, S.
    Wachnicki, Ł.
    Sochacki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1033217.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.16.Pr
    77.84.Bw
    77.55.dj
    Opis:
    The electronic properties of ZrO₂/SiO₂ stacked dielectric layers are reported as a function for temperature of the atomic layer deposition process. A dielectric layer has been characterized by C-V and I-V measurements of MIS structures. A strong dependence of κ value of ZrO₂ layer has been observed as a function of deposition temperature T. The values within the range of κ≈16-26 have been obtained. All measured stacked dielectric layers show an increase in dielectric breakdown voltage compared to simple SiO₂ dielectric by average factor of 1.7 and factor of 2 (21 MV/cm) for high-κ oxides deposited at low temperature (85°C).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 329-331
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Characterization of ZnO Nanorods Grown by the Ultra-Fast and Low Temperature Hydrothermal Process
    Autorzy:
    Witkowski, B.
    Ivanov, V.
    Wachnicki, Ł.
    Gierałtowska, S.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1185890.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.67.-n
    61.46.+w
    81.10.Dn
    77.84.Bw
    Opis:
    The results of photoluminescence investigations of zinc oxide nanorods are reported. These nanorods grown on undoped silicon substrates were obtained by low temperature and ultra-fast version of a microwave-assisted hydrothermal method. The photoluminescence investigations show very high quality of the obtained material. From photoluminescence studies we conclude the lack of carrier localization effects. The photoluminescence is dominated by band gap edge emission of bound excitonic (donor bound excitons) origin. Thus, the photoluminescence quenching observed at increased temperatures is associated with thermal ionization of shallow donors. From photoluminescence analysis (changes of photoluminescence line width) a strength of exciton-acoustic phonon coupling is evaluated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1199-1201
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties and Characterization of ALD Grown Dielectric Oxides for MIS Structures
    Autorzy:
    Gierałtowska, S.
    Sztenkiel, D.
    Guziewicz, E.
    Godlewski, M.
    Łuka, G.
    Witkowski, B. S.
    Wachnicki, Ł.
    Łusakowska, E.
    Dietl, T.
    Sawicki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048118.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Gh
    77.55.-g
    77.84.Bw
    81.05.Ea
    Opis:
    We report on an extensive structural and electrical characterization of undergate dielectric oxide insulators Al$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ and HfO$\text{}_{2}$ grown by atomic layer deposition. We elaborate the atomic layer deposition growth window for these oxides, finding that the 40-100 nm thick layers of both oxides exhibit fine surface flatness and required amorphous structure. These layers constitute a base for further metallic gate evaporation to complete the metal-insulator-semiconductor structure. Our best devices survive energizing up to ≈ 3 MV/cm at 77 K with the leakage current staying below the state-of-the-art level of 1 nA. At these conditions the displaced charge corresponds to a change of the sheet carrier density of 3 × 10$\text{}^{13}$ cm$\text{}^{-2}$, which promises an effective modulation of the micromagnetic properties in diluted ferromagnetic semiconductors.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 692-695
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies