Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Nielsen, B. B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Study of DI-Hydrogen-Monovacancy Defect in Silicon
Autorzy:
Stallinga, P.
Nielsen, B. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968423.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.Lh
76.70.Hb
76.30.-v
Opis:
A careful analysis of the alleged electron paramagnetic resonance spectrum of VH$\text{}_{2}$ in silicon is made. The parameters of this spectrum coincide with those of the well-known excited state (S=1) spectrum of the oxygen vacancy defect. The conclusion is reached that they are one and the same.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 989-992
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies