Autor: Dugaev, V. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Current-Induced Spin Accumulation and Spin Transfer Torque in a Néel Domain Wall
Autorzy:: Baláž, P.
Szymczyk, Ł.
Dugaev, V.
Barnaś, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1427608.pdf
Data publikacji:: 2012-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.60.Ch
75.70.Cn
Opis:: Current-induced spin accumulation in a domain wall and the associated spin torque exerted on the wall are analyzed theoretically. The considerations are limited to a relatively thick Néel domain wall in a bulk ferromagnetic metal. The current-induced spin density is calculated using the linear response theory and the Green function formalism.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 5-6; 1210-1212
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Interaction Between Magnetic Layers in Structures with Narrow-Gap IV-VI Semiconductors
Autorzy:: Dugaev, V. K.
Litvinov, V. I.
Dobrowolski, W.
Story, T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2013062.pdf
Data publikacji:: 2000-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.70.Cn
75.50.Pp
75.70.Ak
Opis:: The results of calculation of the indirect exchange interaction between magnetic layers are presented for the case of a structure with narrow-gap semiconducting IV-VI quantum well. The main mechanism is a magnetic polarization of the size-quantized electrons and holes inside the well. This type of interaction is suggested for the explanation of recent experiments on EuS/PbS structures.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 455-458
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Spin-Dependent Phenomena in Magnetoelectronic Devices
Autorzy:: BarnaŚ, J.
Gmitra, M.
Rudziński, W.
Wawrzyniak, M.
Dugaev, V.
Kunert, H.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1814031.pdf
Data publikacji:: 2007-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.60.Ch
75.70.Cn
75.70.Pa
Opis:: Spin effects in electronic transport properties of artificial magnetic structures, like nanopillar spin valves, tunnel junctions, mesoscopic double-barrier junctions (single-electron transistors) are briefly discussed. Two classes of spin effects are distinguished; i.e. magnetoresistance phenomena due to magnetization rotation, and current-induced magnetic switching and magnetic dynamics.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 6; 1259-1265
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja