Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Szuszkiewicz, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    The Dynamic Dielectric Function "Anomaly" for HgSe:Ga and HgSe:Fe
    Autorzy:
    Szuszkiewicz, W.
    Karczewski, G.
    Jeżewski, M.
    Witkowska, B.
    Mycielski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1887004.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    78.20.Ci
    78.30.Fs
    Opis:
    Reflectivity spectra of HgSe crystals highly doped with Ga and Fe, respectively, were investigated in the spectral region close to the absorption edge at temperatures between 12 K and 295 K. From the analysis of the structure observed in reflectivity the temperature dependence of the Fermi energy was determined for both kinds of crystals.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 369-372
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Spectroscopy of Co-Doped ZnO Bulk Crystals
    Autorzy:
    Szuszkiewicz, W.
    Morhange, J. F.
    Gołacki, Z.
    Łusakowski, A.
    Schumm, M.
    Geurts, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047700.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    78.30.Fs
    Opis:
    Low-temperature Raman spectra of a bulk mixed crystal Zn$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$O (x = 0.016) are shown and analyzed. Besides the common modes of the ZnO host lattice, electronic transitions related to the presence of Co$\text{}^{2+}$ ions at the Zn sites are observed. In spite of the low Co concentration the presence of collective excitations corresponding to Co and CoO precipitates is also revealed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 363-368
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Free-Carrier Plasmons as a Novel Tool in Semiconductor Physics
    Autorzy:
    Szuszkiewicz, W.
    Bardyszewski, W.
    Dingrong, Qian
    Jiaming, Zhang
    Julien, C.
    Balkanski, M.
    Witkowska, B.
    Mycielski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1879491.pdf
    Data publikacji:
    1991-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.45.Gm
    72.30.+q
    75.50.Pp
    Opis:
    It is demonstrated that free-carrier plasmons being well defined collective excitations of the electron gas in the range of small wave vectors can serve as a sensitive tool to investigate the optical processes related to the small momentum transfers. As an example the system HgSe:Fe is analysed both experimentally and theoretically.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 141-144
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Low-Frequency Raman Spectrum οf Bulk $Zn_{0.984}Co_{0.016}O$ Crystal
    Autorzy:
    Szuszkiewicz, W.
    Łusakowski, A.
    Morhange, J.
    Gołacki, Z.
    Arciszewska, M.
    Brodowska, B.
    Kanehisa, M.
    Klepka, M.
    Dobrowolski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807848.pdf
    Data publikacji:
    2009-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    78.30.Fs
    Opis:
    The influence of possible presence of $Co^{2+}$ ion pairs in a bulk $Zn_{1-x}Co_{x}O$ mixed crystal on the low-frequency part of the Raman spectrum is discussed. Two effects can be taken into account in the theoretical considerations when analyzing the energy level scheme corresponding to Co ions. The first is a local lattice deformation in the vicinity of $Co^{2+}$ ion due to a presence of the second ion, smaller than the host ZnO lattice cation. Such deformation creates a trigonal field, which can only slightly modify the energy levels of $Co^{2+}$ ion. The second effect, which results from an antiferromagnetic superexchange interaction between two $Co^{2+}$ ions is responsible for a new set of energy levels. The Raman data taken at low temperature on the sample corresponding to the composition x = 0.016 demonstrated the presence of two structures at about 6 $cm^{-1}$ and 13 $cm^{-1}$. These structures may be interpreted as electronic transitions between the ground state and the first excited state of a single $Co^{2+}$ ion in the substitution site of ZnO lattice and as a similar transition for $Co^{2+}$ ion pair, respectively.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 1; 103-106
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temperature Dependence of Raman Scattering by Magnons in Bulk-Like MBE-Gwn MnTe Films
    Autorzy:
    Szuszkiewicz, W.
    Mohrange, J. F.
    Jouanne, M.
    Kanehisa, M. A.
    Świrkowicz, R.
    Dynowska, E.
    Janik, E.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968436.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.30.Ds
    75.50.Pp
    78.30.-j
    Opis:
    Temperature dependence of the magnon frequency was studied for cubic MnTe epilayers by the Raman scattering measurements. Experimental data are compared to the results of theoretical calculations performed within the framework of the Heisenberg model using Green's function formalism.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1025-1028
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Elastic Properties of Zinc Blende MnTe
    Autorzy:
    Djemia, P.
    Roussigné, Y.
    Stashkevich, A.
    Szuszkiewicz, W.
    Gonzalez Szwacki, N.
    Dynowska, E.
    Janik, E.
    Kowalski, B. J.
    Karczewski, G.
    Bogusławski, P.
    Jouanne, M.
    Morhange, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038250.pdf
    Data publikacji:
    2004-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.20.Dc
    75.50.Pp
    78.35.+c
    Opis:
    The Brillouin light scattering was used to investigate elastic properties of the zinc blende, MBE-grown MnTe layer that was deposited on a (001) GaAs substrate covered by CdTe buffer layer. The three elastic constants of the zinc blende MnTe, namely c$\text{}_{11}$, c$\text{}_{12}$, and c$\text{}_{44}$, were directly determined for the first time from the frequency of the Rayleigh mode, of the pseudo-surface mode, and of the shear horizontal bulk mode traveling parallel to the layer surface. The value of c$\text{}_{11}$ was checked using the frequency of longitudinal bulk waves propagating at different angles from the normal of the layer plane. This value was also independently determined by results of the folding of acoustic phonons, observed for MnTe/CdTe superlattices by the Raman scattering. Finally, the bulk modulus given by the formula B=(c$\text{}_{11}$+2c$\text{}_{12}$)/3 was determined for zinc blende MnTe by ab initio calculations making use of the density functional theory and atomic pseudopotentials; spin polarization of MnTe was taken into account. A satisfactory agreement between theoretical and experimental values was obtained.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 239-247
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies