Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Rotundu, C." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
$Zn_{1-x}(Mn,Co)_xGeAs_2$ Ferromagnetic Semiconductor: Magnetic and Transport Properties
Autorzy:
Kilanski, L.
Gorska, M.
Domukhovski, V.
Dobrowolski, W.
Anderson, J.
Rotundu, C.
Varniavskii, S.
Marenkin, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811937.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Fr
72.80.Ga
75.50.Pp
75.40.Cx
Opis:
We present the studies of magnetic and transport properties of the bulk $Zn_{1-x}(Mn, Co)_xGeAs_2$ mixed crystals with 0.052 ≤ x ≤0.182 grown using direct fusion method. Magnetic investigations showed that for samples with x ≥ 0.078 we observed a behavior typical of ferromagnets, with the Curie temperatures $T_C$ ≥ 300 K. The observed ferromagnetism was probably connected with the spinodal decomposition of the Mn ions in the alloy. The transport studies including resistivity and Hall effect (at B=1.4 T) were performed. The samples showed p-type conductivity with semiconducting or metallic character, depending on the alloy composition. The Hall carrier concentration, p ≥ $10^{18} cm^{-3}$, was composition dependent.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1151-1157
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Properties of Epitaxial (Ge,Mn)Te Thin Films with Varying Crystal Stoichiometry
Autorzy:
Knoff, W.
Domukhovski, V.
Dybko, K.
Dziawa, P.
Górska, M.
Jakieła, R.
Łusakowska, E.
Taliashvili, B.
Story, T.
Reszka, A.
Anderson, J.
Rotundu, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811940.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
Opis:
Magnetization of 1 μm thick ferromagnetic IV-VI (Ge, Mn)Te semiconductor layers with 10 at.% of Mn was studied by SQUID magnetometry method up to the magnetic fields of 70 kOe. The layers were grown on BaF₂ (111) substrates by molecular beam epitaxy with varying Te molecular flux, which permitted the control of layer stoichiometry and conducting hole concentration. X-ray diffraction and in situ electron diffraction characterization of layer growth and crystal structure revealed two-dimensional mode of growth and monocrystalline rhombohedral crystal structure of (Ge, Mn)Te layers. Controlling the layer stoichiometry influences the temperature dependence of magnetization with the ferromagnetic Curie temperature varying in $Ge_{0.9}Mn_{0.1}Te$ layers from $T_c$=30 K (low Te flux) to $T_c$=42 K (high Te flux).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1159-1165
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies