Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Anderson, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The Role of Frustration in Magnetism of Ge$\text{}_{1-x}$Cr$\text{}_{x}$Te Semimagnetic Semiconductor
Autorzy:
Kilanski, L.
Górska, M.
Dobrowolski, W.
Arciszewska, M.
Domukhovski, V.
Anderson, J. R.
Butch, N. P.
Podgórni, A.
Slynko, V. E.
Slynko, E. I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048082.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.40.Cx
75.40.Gb
75.50.Lk
75.50.Pp
Opis:
We present preliminary studies of magnetic properties of Ge$\text{}_{1-x}$Cr$\text{}_{x}$Te semimagnetic semiconductors with low chromium content x < 0.026. The static and dynamic magnetometry techniques were employed for the current investigations. The obtained results showed large bifurcations between zero-field cooled and field cooled magnetization curves at temperatures lower than 50 K. The dynamic susceptibility measurements proved via frequency shifting of the peaks that the observed magnetic order at low temperatures was the spin-glass-like state caused by magnetic frustration of the system.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 654-656
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Properties of Epitaxial (Ge,Mn)Te Thin Films with Varying Crystal Stoichiometry
Autorzy:
Knoff, W.
Domukhovski, V.
Dybko, K.
Dziawa, P.
Górska, M.
Jakieła, R.
Łusakowska, E.
Taliashvili, B.
Story, T.
Reszka, A.
Anderson, J.
Rotundu, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811940.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
Opis:
Magnetization of 1 μm thick ferromagnetic IV-VI (Ge, Mn)Te semiconductor layers with 10 at.% of Mn was studied by SQUID magnetometry method up to the magnetic fields of 70 kOe. The layers were grown on BaF₂ (111) substrates by molecular beam epitaxy with varying Te molecular flux, which permitted the control of layer stoichiometry and conducting hole concentration. X-ray diffraction and in situ electron diffraction characterization of layer growth and crystal structure revealed two-dimensional mode of growth and monocrystalline rhombohedral crystal structure of (Ge, Mn)Te layers. Controlling the layer stoichiometry influences the temperature dependence of magnetization with the ferromagnetic Curie temperature varying in $Ge_{0.9}Mn_{0.1}Te$ layers from $T_c$=30 K (low Te flux) to $T_c$=42 K (high Te flux).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1159-1165
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies