Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Stankevič, V." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Influence of Sr Content on CMR Effect in Polycrystalline $La_{1-x}Sr_{x}MnO_{3}$ Thin Films
    Autorzy:
    Žurauskienė, N.
    Balevičius, S.
    Stankevič, V.
    Paršeliūnas, J.
    Keršulis, S.
    Abrutis, A.
    Plaušinaitienė, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807950.pdf
    Data publikacji:
    2009-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.47.Gk
    75.47.Lx
    75.30.Hx
    85.70.Kh
    Opis:
    The magnetoresistance of thin polycrystalline $La_{1-x}Sr_{x}MnO_{3}$ films deposited on lucalox substrate using metal organic chemical vapor deposition technique was investigated in pulsed magnetic fields up to 18 T in the temperature range 100-320 K. The influence of film preparation conditions, ambient temperature variation and Sr content is analyzed in order to determine the optimal conditions for the design of CMR-B-scalar magnetic field sensor based on thin manganite film, operating at room temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 6; 1136-1138
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth and Investigation of $p-La_{2//3}Ca_{1//3}MnO_3$/n-Si Heterostructures
    Autorzy:
    Anisimovas, F.
    Butkutė, R.
    Devenson, J.
    Maneikis, A.
    Stankevič, V.
    Pyragas, V.
    Vengalis, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813391.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.30.+h
    73.43.Qt
    75.47.Lx
    81.15.Fg
    Opis:
    We report the fabrication and investigation of p-n diode structures based on thin hole-doped $La_{2//3}Ca_{1//3}MnO_3$ films grown on n-type silicon substrates. $La_{2//3}Ca_{1//3}MnO_3$ films with typical thickness of about 400 nm were prepared using pulsed laser deposition. Reflection high-energy electron diffraction measurements revealed polycrystalline quality of $La_{2//3}Ca_{1//3}MnO_3$ thin films on Si substrates. The surface roughness of $La_{2//3}Ca_{1//3}MnO_3$ films investigated by atomic force microscopy was found to be in the range of 25÷30 nm. Studies of electrical properties showed that $La_{2//3}Ca_{1//3}MnO_3$/Si heterostructures exhibit nonlinear asymmetric I-V characteristics both at room temperature and at 78 K. Furthemore, it was shown that these I-V dependences are sensitive to magnetic field, especially at lower voltages.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 997-1000
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fast Electrical Switching of Thin Manganite Films
    Autorzy:
    Balevičius, S.
    Kiprijanovič, O.
    Stankevič, V.
    Žurauskienė, N.
    Česnys, A.
    Tolvaišienė, S.
    Abrutis, A.
    Plaušinaitienė, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813192.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.47.Lx
    75.47.Gk
    73.50.Fq
    Opis:
    The effects of strong pulsed electric field on the electrical properties of thin epitaxial $La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_3$ films were investigated. The fast electrical switching from high resistance off-state to low resistance on-state was obtained at current densities higher than $10^6 A//cm^2$. This current was able to induce an irreversible damage of the sample in the regions at the edges of the electrodes of the film. It was demonstrated that thermal effects are responsible for appearance of delay time and asymmetrical shape of current channel in on-state, however, the fast switching from off- to on-state is a result of electronic effects appearing when critical power is reached in the film.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 821-824
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thin Film Manganite-Metal Interconnection and "Loop Effect" Studies in CMR-Based High Magnetic Field Sensors
    Autorzy:
    Balevičius, S.
    Stankevič, V.
    Žurauskienė, N.
    Šimkevičius, Č.
    Liebfried, O.
    Löffler, M.
    Schneider, M.
    Abrutis, A.
    Plaušinaitienė, V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807946.pdf
    Data publikacji:
    2009-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.47.Gk
    75.47.Lx
    85.70.Ay
    Opis:
    The design, technology and main characteristics of Ag contacts as well as "loop effect" peculiarities of colossal magnetoresistance B-scalar high magnetic field sensor based on $La_{1-x}(Ca)Sr_x$ $MnO_3$ films used for measuring high magnetic field pulses are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 6; 1133-1135
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Frequency Dependence of Electrical Response of Polycrystalline LCMO Thin Films
    Autorzy:
    Ašmontas, S.
    Anisimovas, F.
    Balevičius, S.
    Cimmperman, P.
    Gradauskas, J.
    Lučun, A.
    Stankevič, V.
    Sužiedėlis, A.
    Vengalis, B.
    Žurauskienė, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041721.pdf
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.47.Gk
    75.47.Lx
    07.57.Kp
    Opis:
    Influence of strong electric field in wide frequency range (from DC to 35 GHz) on electrical resistance of thin La$\text{}_{0.67}$Ca$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$ polycrystalline manganite films was investigated in the range of (78÷300) K. Different behavior of resistance change vs. temperature was observed when pulsed DC electric field and microwaves were applied to the films. When pulsed DC electric field is applied the electric-field-induced resistance change ("electroresistance") of manganite film depended nearly monotonically on temperature. However, in microwave electric fields a non-monotonic character of the electroresistance temperature dependence was observed. The dependence of the electroresistance on quality of manganite films was observed in case of microwaves. The experimental findings are explained assuming different electrical current mechanisms in case of DC and microwave fields. The applied voltage drops mainly across the grains of polycrystalline film due to a presence of displacement currents in case of microwaves, whereas in DC case the voltage drop is across the grain boundaries.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 193-197
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies