Autor: Sadowski, J. W. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Electrical, Magnetic, and Structural Properties of Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:: Nadolny, A. J.
Sadowski, J.
Story, T.
Dobrowolski, W.
Arciszewska, M.
Świątek, K.
Kachniarz, J.
Adamczewska, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992036.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.20.Ck
75.30.Et
68.55.-a
Opis:: Layers of Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.1) with thickness 0.2-2 μm were grown by molecular beam epitaxy on BaF$\text{}_{2}$ substrates with a 0.01-1 μm thick SnTe buffer layer. Both SnTe and Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te layers show metallic p-type conductivity with conducting hole concentrations (at T=77 K) p$\text{}_{77}$=7×10$\text{}^{19}$ -2×10$\text{}^{21}$ cm$\text{}^{-3}$. The layers grown under the conditions of an extra Te flux have a high carrier concentration and exhibit ferromagnetic phase transition at T$\text{}_{C}$ ≤ 7 K. The layers grown with no (or very low) additional Te flux show low carrier concentrations (below 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$) and remain paramagnetic in the temperature range studied T=4.5÷70 K.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 449-453
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Fermi Level Position in GaMnAs - a Thermoelectric Study
Autorzy:: Osinniy, V.
Jędrzejczak, A.
Arciszewska, M.
Dobrowolski, W.
Story, T.
Sadowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2027483.pdf
Data publikacji:: 2001-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.20.Ck
75.30.Et
73.50.-h
Opis:: Thermoelectric power was studied in the temperature range 100≤ T≤300 K in 0.3-1μm thick ferromagnetic Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As epitaxial layers (0.015≤ x≤0.06) in order to determine Fermi energy E$\text{}_{F}$ and carrier concentration p. For 0.015≤ x≤0.05, at T=273 K we find E$\text{}_{F}$=275±50 meV and p=(2.5± 0.5)×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ (approximately Mn content independent). For x= 0.06, the Fermi energy decreases by about 100 meV with the corresponding reduction of hole concentration to p=1.2×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$. At T=120 K, these parameters vary between E$\text{}_{F}$=380 meV and p=3.5×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ for x=0.015 to E$\text{}_{F}$=110 meV and p=5×10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$ for x=0.06.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 327-334
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja