Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "74.62.En" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Superconducting density of states in B-doped diamond
Autorzy:
Onufriienko, O.
Samuely, T.
Zhang, G.
Vanacken, J.
Xu, Zheng
May, P.
Szabó, P.
Moshchalkov, V.
Samuely, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1052993.pdf
Data publikacji:
2017-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.70.Wz
74.62.En
74.55.+v
Opis:
In the presented work, we investigated the superconducting boron doped diamond polycrystalline film prepared by chemical vapor deposition by means of scanning tunneling microscopy/spectroscopy. Differential conductance spectra measured at various temperatures were used to obtain the values of superconducting critical temperature and energy gap. Comparing various theoretical models fitted to the differential conductance spectra measured at 0.5 K suggests weak pair breaking. However, this cannot account for the high 2Δ/(k_{B}T_{C}) ratio, which therefore indicates strong coupling.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 4; 1033-1035
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of Strain on the Superconducting Properties of Strongly Underdoped $La_{2-x}Sr_xCuO_4$ Thin Films
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M.
Paszkowicz, W.
Abal'oshev, A.
Berkowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431516.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.25.F-
74.62.En
74.78.-w
Opis:
Using pulsed laser deposition we have grown films of $La_{2-x}Sr_xCuO_4$ with x in close vicinity of the superconductor-insulator transition, x=0.051 and x=0.048, on $SrLaAlO_4$ substrates, and of different thickness d (from 25 nm to 250 nm). The X-ray diffraction shows that for each d the films grow with variable degree of compressive in-plane strain, with the largest strain achieved in thinnest films. The resistivity measurements show strong enhancement of superconductivity with increasing strain, so that the onset of superconductivity at temperature as high as 27 K is observed. With increasing strain the character of resistivity changes from the insulating to metallic.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 858-865
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoresistance of Si/Nb/Si Trilayers
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M.
Abal'oshev, A.
Dluzewski, P.
Grabecki, G.
Plesiewicz, W.
Zhu, L.
Chien, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1537220.pdf
Data publikacji:
2010-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.-c
74.25.F-
74.25.Ha
74.62.En
Opis:
We study the superconductor-insulator transition in Si/Nb/Si trilayers, in which the thickness of Si is fixed at 10 nm, and the nominal thickness of Nb changes in the range between d = 20 nm down to d = 0.3 nm. The transmission electron microscopy indicates the formation of the mixed Nb-Si layer for small d. Both the thickness-induced, and the magnetic-field induced superconductor-insulator transition is observed. The crossing point of the isotherms at the critical field $B_{c}$ decreases with decreasing d, and it is T-independent at temperatures below 300 mK. At larger fields the weak peak in magnetoresistance appears in some of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 2; 406-408
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies