Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zhu, L" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Phase Diagram and Activation Energy for Vortex Pinning in Nb/(Co,Pd) Superconductor-Ferromagnet Bilayer
Autorzy:
Syryanyy, Y.
Aleszkiewicz, M.
Cieplak, Marta
Zhu, L.
Chien, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1374109.pdf
Data publikacji:
2014-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.25.F-
74.25.N-
74.25.Wx
74.62.-c
74.70.-b
74.78.-w
74.78.Fk
75.70.Kw
75.70.-i
Opis:
Using the magnetoresistance measurements we study the phase transition line and the activation energy for vortex pinning in superconductor/ferromagnet bilayer, built of a ferromagnetic Co/Pd multilayer with perpendicular magnetic anisotropy, and a niobium film, with insulating layer in-between to eliminate proximity effect. The domain width is reversibly pre-defined using the angle-dependent demagnetization. We find that the enhancement of the activation energy for vortex pinning by magnetic domains is rather modest, by a factor of about 2.1. We attribute this to large domain width, and large dispersion of the domain width in this bilayer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 4a; A-123-A-126
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetoresistance of Si/Nb/Si Trilayers
Autorzy:
Zaytseva, I.
Cieplak, M.
Abal'oshev, A.
Dluzewski, P.
Grabecki, G.
Plesiewicz, W.
Zhu, L.
Chien, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1537220.pdf
Data publikacji:
2010-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.-c
74.25.F-
74.25.Ha
74.62.En
Opis:
We study the superconductor-insulator transition in Si/Nb/Si trilayers, in which the thickness of Si is fixed at 10 nm, and the nominal thickness of Nb changes in the range between d = 20 nm down to d = 0.3 nm. The transmission electron microscopy indicates the formation of the mixed Nb-Si layer for small d. Both the thickness-induced, and the magnetic-field induced superconductor-insulator transition is observed. The crossing point of the isotherms at the critical field $B_{c}$ decreases with decreasing d, and it is T-independent at temperatures below 300 mK. At larger fields the weak peak in magnetoresistance appears in some of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 2; 406-408
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies