Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Yao, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Energy Band and Absorption Coefficient of Quantum Dots in a Well Structure
Autorzy:
Zhang, P.
Lu, X.
Zhang, C.
Yao, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1419887.pdf
Data publikacji:
2012-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.La
73.63.Kv
Opis:
Building on the effective-mass envelope function theory, this paper focuses on the study of the energy band and the absorption coefficient of $InAs//In_{x}Ga_{1 - x}As$ quantum dots in a well (DWELL) structure. In contrast to $InAs//In_{0.15}Ga_{0.85}As$ quantum DWELL, the $InAs//In_{0.2}Ga_{0.8}As$ quantum DWELL has lower ground states. With the thickness of $In_{0.15}Ga_{0.85}As$ layer changing from 7 nm to 9 nm and $In_{0.2}Ga_{0.8}As$ layer changing from 9 nm to 12 nm, the calculation shows that their absorption coefficient spectra takes a red shift in the long-wave infrared and far-infrared ranges, respectively. Moreover, when the thickness of the $In_{x}Ga_{1 - x}As$ layer is defined as 9 nm, the absorption coefficient spectra of $InAs//In_{0.2}Ga_{0.8}As$ DWELL shows a obvious red shift comparing with that of $InAs//In_{0.15}Ga_{0.85}As$ DWELL.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 1; 197-201
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies