Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ievtushenko, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Spectral Distribution of Photoelectric Efficiency οf Thin-Film CdS/CdTe Heterostructure
Autorzy:
Kosyachenko, L.
Lashkarev, G.
Grushko, E.
Ievtushenko, A.
Sklyarchuk, V.
Mathew, X.
Paulson, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791326.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
84.60.Jt
85.60.Dw
73.61.Ga
Opis:
The spectral distribution of the quantum efficiency in thin-film CdS/CdTe solar cells is being investigated by taking into account the drift and diffusion components of photocurrent, recombination at the CdS-CdTe interface, the back surface of the CdTe absorber layer and in the space-charge region. The effect of uncompensated acceptor concentration, lifetime of minority carriers and surface recombination velocity on the charge collection efficiency are discussed. The losses caused by reflections and absorption in the CdS and indium tin oxide layers are also considered.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 862-864
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and electrical properties of highly doped ZnO:Al films deposited by atomic layer deposition on Si substrates in visible and near infrared region
Autorzy:
Romanyuk, V.
Dmitruk, N.
Karpyna, V.
Lashkarev, G.
Popovych, V.
Dranchuk, M.
Pietruszka, R.
Godlewski, M.
Dovbeshko, G.
Timofeeva, I.
Kondratenko, O.
Taborska,, M.
Ievtushenko, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1156366.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Hf
73.61.Ga
Opis:
Optical properties of ZnO films doped by Al in the range 0.5 to 7 at.% and deposited by atomic layer deposition were studied in visible and infrared spectral range. Spectral dependences of film optical permittivity were modeled with the Lorentz-Drude approximation resulting in ZnO:Al plasma frequency and plasma damping parameters. We observed changing electron effective mass from 0.29m₀ to 0.5m₀ with increasing electron concentration in the range (0.9-4) × 10²⁰ due to the phenomenon of conduction band non-parabolicity. Comparing the results of optical and electrical investigations we can see that the main scattering mechanism is the scattering on grain boundaries (its contribution is about 60%).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-36-A-40
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies