Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Radomska, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
High Resistivity AlGaAs Grown by Low Temperature MBE
Autorzy:
Radomska, D.
Ratajczak, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992076.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
Opis:
Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As layers were grown by molecular beam epitaxy using substrate temperature 200-300°C, tetrameric As and two values of As/Ga+Al flux ratio i.e. 3 or 8. The post-growth annealing was performed in situ at 600°C for 20 min under As-overpressure. The samples were characterised by reflection high-energy electron diffraction, transmission electron microscope and room-temperature I-V measurements of n$\text{}^{+}$/LT grown layer /n$\text{}^{+}$ resistors. The resistivity and trap-filled limited voltage have been determined. The best layers exhibited ρ of the order of 10$\text{}^{9}$ Ω cm, were monocrystalline, uniformly precipitated and without dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 492-496
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies