Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gošciańska, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Electrical Resistance Anomalies in Holmium Thin Films below 20 K in Magnetic Field
Autorzy:
Dudáš, J.
Gabáni, S.
Kavečanský, V.
Gościańska, I.
Bagi, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1534128.pdf
Data publikacji:
2010-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.At
75.70.Ak
68.55.Nq
Opis:
Electrical resistance (R) of Ho thin films evaporated in vacuum ≈ $10^{-7}$ Pa was studied in a temperature range from 2 K up to 300 K and in magnetic field up to 9 T. Measurements showed resistance anomalies below 20 K - minima of R value in 36 nm and 215 nm thin films and resistivity maximum at 3.58 K in 215 nm Ho film. Increasing value of the magnetic field, applied perpendicular to film surface up to 5 T, caused increasing suppression of the R minima in these films with subsequent disappearance of them in fields above 5 T. Maximum of R value in 215 nm thin film at 3.58 K decreased with increasing flux density up to 5 T and it was suppressed at fields above 5 T. X-ray diffraction of these films revealed two phases composition consisting of the hexagonal Ho and of cubic $HoH_2$. The preferential crystal orientation of both phases was detected.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 5; 843-845
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Thickness and Magnetic Field on Magnetic Ordering Temperatures in Holmium Thin Films
Autorzy:
Dudáv, J.
Guzan, M.
Gabáni, S.
Kavečanský, V.
Gošciańska, I.
Vincze, A.
Konč, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813605.pdf
Data publikacji:
2008-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.At
75.70.Ak
68.55.Nq
Opis:
Influence of thickness and magnetic field on magnetic ordering temperatures is reported. The X-ray diffraction of Ho films confirmed their preferential crystal orientation and revealed diffraction peaks originating from the hcp structure of Ho and those from inessential holmium dihydride content. Secondary ion mass spectroscopy showed a very homogeneous distribution of holmium in thin films. Electrical resistance measurements on Ho films in the thickness range from 98 nm to 215 nm showed a "knee-like" resistance anomaly near the $T_N$. The $T_N$ value of these films decreased with decreasing film thickness. Magnetic field applied parallel to the thin film plane caused an increasing suppression of the $T_N$ value up to 5 K with increasing flux density value up to 5 T.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 1; 191-195
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies