Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Domagała, T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Magnetic and Magneto-Transport Characterization of (Ga,Mn)(Bi,As) Epitaxial Layers
Autorzy:
Levchenko, K.
Andrearczyk, T.
Domagala, J.
Wosinski, T.
Figielski, T.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1195381.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
75.30.Gw
73.50.Jt
85.75.-d
Opis:
High-quality layers of the (Ga,Mn)(Bi,As) quaternary compound semiconductor have been grown by the low-temperature molecular-beam epitaxy technique. An effect of Bi incorporation into the (Ga,Mn)As ferromagnetic semiconductor and the post-growth annealing treatment of the layers have been investigated through examination of their magnetic and magneto-transport properties. Significant enhancement of the planar Hall effect magnitude upon addition of Bi into the layers is interpreted as a result of increased spin-orbit coupling in the (Ga,Mn)(Bi,As) layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1121-1124
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of misfit strain in (Ga,Mn)(Bi,As) epitaxial layers on their magnetic and magneto-transport properties
Autorzy:
Levchenko, K.
Andrearczyk, T.
Domagała, J.
Sadowski, J.
Kowalczyk, L.
Szot, M.
Figielski, T.
Wosiński, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1160667.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
61.05.cp
78.20.Ls
73.50.Jt
75.30.Gw
Opis:
Effect of misfit strain in the layers of (Ga,Mn)(Bi,As) quaternary diluted magnetic semiconductor, epitaxially grown on either GaAs substrate or (In,Ga)As buffer, on their magnetic and magneto-transport properties has been investigated. High-resolution X-ray diffraction, applied to characterize the structural quality and misfit strain in the layers, proved that the layers were fully strained to the GaAs substrate or (In,Ga)As buffer under compressive or tensile strain, respectively. Ferromagnetic Curie temperature and magneto-crystalline anisotropy of the layers have been examined by using magneto-optical Kerr effect magnetometry and low-temperature magneto-transport measurements. Post-growth annealing treatment of the layers has been shown to enhance the hole concentration and the Curie temperature in the layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-90-A-93
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies