Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tralle, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Undulator-Like Radiation and Cooperative Phenomenon in Semiconductor Microstructure with Grating
Autorzy:
Tralle, I.
Zięba, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1490209.pdf
Data publikacji:
2012-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
41.60.-m
42.50.Gy
73.61.Ey
73.40.kp
73.50.Fq
Opis:
In the article the cooperative $N^2$-effect is considered, that is the radiation whose power is ım $N^2$, where N is the number of emitters which in this case is equal to the number of electrons in a bunch. The suggested effect is the result of combining two other effects, Gunn-effect in GaAs and undulator-like radiation which can be produced by means of microstructure with grating (microundulator). It is very probable that the effect can be used for the developing of a new semiconductor-based room temperature source of the THz radiation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 2; 522-526
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Undulator-Like Radiation and N² Effects in Semiconductor Microstructures with Grating
Autorzy:
Tralle, I.
Zięba, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402586.pdf
Data publikacji:
2015-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
41.60.-m
42.50.Gy
73.61.Ey
73.40.kp
73.50.Fq
Opis:
In the article the cooperative N²-effects are considered, that is the radiation whose power is ım N², where N is the number of emitters which in this case is equal to the number of electrons in a bunch. The suggested effects are the result of combining two effects: the Gunn-effect in GaAs and undulator-like radiation, or "pumping wave" acting on the electrons and which is the result of undulator field, while the second is the backward effect of radiation which is produced by electrons moving within such microundulator. It is very probable that the effects can be used for the developing of a new semiconductor-based room temperature source of the THz-radiation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 2; 228-230
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies